[发明专利]一种过流保护电路

权利要求书

1.一种过流保护电路，包括电源输入单元及负载单元，所述电源输入单元用于与所述负载单元形成供电回路，以为所述负载单元供电，其特征在于，所述过流保护电路还包括开关保护单元、电流检测单元及自锁控制单元，所述开关保护单元电连接于所述电源输入单元及所述电流检测单元之间，所述开关保护单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元电连接于所述开关保护单元及所述负载单元之间，所述电流检测单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元用于检测所述负载单元的电流大小，并根据检测结果输出检测信号至所述自锁控制单元，所述自锁控制单元根据所述检测信号判断所述负载单元是否发生过流，并根据判断结果控制所述开关保护单元导通或截止所述负载单元的供电回路，且在所述负载单元发生过流时，锁住所述开关保护单元的截止状态不变，所述自锁控制单元还用于调整所述过流保护电路对所述负载单元过流的响应范围。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，当所述自锁控制单元判断所述负载单元没有发生过流时，所述自锁控制单元控制所述开关保护单元持续导通所述负载单元的供电回路；当所述自锁控制单元判断所述负载单元发生过流时，所述自锁控制单元将控制所述开关保护单元截止所述负载单元的供电回路。

3.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述电源输入单元包括直流电源(V1)，所述开关保护单元包括N沟道MOSFET管(K1)、第一电阻(R1)及第二电阻(R2)，所述电流检测单元包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一PNP三极管(Q1)及第二PNP三极管(Q2)，所述自锁控制单元包括第三PNP三极管(Q3)及NPN三极管(Q4)，所述负载单元包括第七电阻(R7)，所述第三电阻(R3)的第一端与所述直流电源(V1)的正极电连接，所述第三电阻(R3)的第二端通过所述第七电阻(R7)与所述MOSFET管(K1)的漏极电连接，所述MOSFET管(K1)的栅极通过所述第一电阻(R1)电连接于所述直流电源(V1)的正极，所述MOSFET管(K1)的栅极还与所述第三PNP三极管(Q3)的基极及所述NPN三极管(Q4)的集电极电连接，所述MOSFET管(K1)的源极电连接于所述直流电源(V1)的负极，所述MOSFET管(K1)的源极还通过所述第二电阻(R2)电连接于所述MOSFET管(K1)的栅极，所述第一PNP三极管(Q1)的基极与所述第二PNP三极管(Q2)的基极电连接，所述第一PNP三极管(Q1)的发射极通过所述第四电阻(R4)电连接于所述第三电阻(R3)的第一端，所述第一PNP三极管(Q1)的集电极通过所述第五电阻(R5)接地，所述第一PNP三极管(Q1)的集电极还与所述第三PNP三极管(Q3)的集电极及所述NPN三极管(Q4)的基极电连接，所述第二PNP三极管(Q2)的发射极电连接于所述第三电阻(R3)的第二端，所述第二PNP三极管(Q2)的集电极与所述第二PNP三极管(Q2)的基极电连接，所述第二PNP三极管(Q2)的集电极还通过所述第六电阻(R6)接地，所述第三PNP三极管(Q3)的发射极电连接于所述直流电源(V1)的正极，所述第三PNP三极管(Q3)的基极与所述NPN三极管(Q4)的集电极电连接，所述PNP三极管(Q3)的集电极与所述NPN三极管(Q4)的基极电连接。所述NPN三极管(Q4)的发射极接地。

4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流检测单元还包括第一电容(C1)及第二电容(C2)，所述第一电容(C1)并联连接于所述第五电阻(R5)的两端，所述第二电容(C2)并联连接于所述第六电阻(R6)的两端。

5.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，所述自锁控制单元还包括稳压二极管(Z1)、第八电阻(R8)及保护指示灯(LED1)，所述PNP三极管(Q3)的发射极依次通过所述保护指示灯(LED1)、所述第八电阻(R8)及所述稳压二极管(Z1)电连接至所述直流电源(V1)的正极。