[发明专利]集成电路装置与其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

衬底；

金属内连结构，形成在所述衬底之上；

多个电阻切换随机存取存储器单元，形成在所述金属内连结构内，所述多个电阻切换随机存取存储器单元中的每一电阻切换随机存取存储器单元包括底部电极、顶部电极以及位于所述底部电极与所述顶部电极之间的电阻切换结构；以及

通孔，将所述顶部电极连接到所述金属内连结构，其中所述通孔穿过低介电常数介电层；

其中所述多个电阻切换随机存取存储器单元包括较小单元及较大单元；

所述较小单元在高度上比所述较大单元短；且

将所述顶部电极与所述低介电常数介电层分开的任何介电层在所述较大单元及所述较小单元之上具有相等的厚度。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，刻蚀停止层将所述顶部电极与所述低介电常数介电层分开。

3.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

衬底；

金属内连结构，形成在所述衬底之上；

多个电阻切换随机存取存储器单元，形成在所述金属内连结构内，所述多个电阻切换随机存取存储器单元中的每一电阻切换随机存取存储器单元包括底部电极、顶部电极以及位于所述底部电极与所述顶部电极之间的电阻切换结构；以及

通孔，将所述顶部电极连接到所述金属内连结构，其中所述通孔穿过低介电常数介电层及刻蚀停止层；

其中所述多个电阻切换随机存取存储器单元包括较小单元及较大单元；

所述刻蚀停止层位于所述低介电常数介电层与所述电阻切换随机存取存储器单元之间；

所述较小单元的高度低于所述较大单元；且

对于所述多个电阻切换随机存取存储器单元中的每一者，所述刻蚀停止层横向延伸远离所述电阻切换随机存取存储器单元，包括与所述电阻切换随机存取存储器单元相关联的任何侧壁间隔件。

4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其特征在于，所述刻蚀停止层在所述较大单元的阵列中的所述电阻切换随机存取存储器单元之间的所述较小单元的高度处变平。

5.一种制造集成电路装置的方法，其特征在于，包括：

在包括存储区域及外围区域的半导体衬底之上形成金属内连层；

在所述存储区域中的所述金属内连层之上形成电阻切换随机存取存储器单元，其中所述电阻切换随机存取存储器单元包括较高单元及较矮单元；

在所述电阻切换随机存取存储器单元之上沉积第一介电层；

在所述第一介电层之上沉积第二介电层；及

进行化学机械抛光以在所述电阻切换随机存取存储器单元之间的区域中留下包括所述较高单元的顶部电极、所述较矮单元的顶部电极及所述第二介电层的表面；

其中所述化学机械抛光使所述较高单元高于所述较矮单元。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光停止在所述外围区域中的所述第二介电层上。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述化学机械抛光之前所述外围区域中的所述第二介电层的顶部位于所述化学机械抛光之后的所述较高单元的顶部下方。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述化学机械抛光之后所述外围区域中的所述第一介电层与所述第二介电层的组合厚度小于或等于所述化学机械抛光之后的所述较矮单元的高度。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在由所述化学机械抛光留下的所述表面之上沉积刻蚀停止层。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第二介电层之上沉积旋涂涂层；及

在所述化学机械抛光之前，实施刻蚀工艺，所述刻蚀工艺使所述旋涂涂层凹进且从所述电阻切换随机存取存储器单元之上移除所述第二介电层。