[发明专利]一种OLED显示装置及制作方法在审
| 申请号: | 202010490113.X | 申请日: | 2020-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN111668268A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 阮桑桑;黄志杰;苏智昱;潜垚 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 oled 显示装置 制作方法 | ||
1.一种OLED显示装置制作方法,其特征在于,包括一个画素区域的制作方法:
在基板上沉积有源层材料,在基板上形成有源层,蚀刻有源层得到触控电极区和有源区,将触控电极区进行导体化,形成透明的触控电极,有源区上的两侧作为源漏极接触区;
在有源区和触控电极上制作第一绝缘层;
在有源区区域的第一绝缘层上制作栅极;
在栅极和第一绝缘层上制作第二绝缘层;
在源漏极接触区及触控电极区域的第二绝缘层上分别制作过孔,过孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层,过孔的底部分别为触控电极表面和源漏极接触区表面;
在第二绝缘层上制作源极、漏极和触控引线,源极和漏极分别通过第二绝缘层位于源漏极接触区上的过孔与有源层连接,触控引线通过第二绝缘层位于触控电极上的过孔与触控电极连接;
在第二绝缘层、源极、漏极和触控引线上制作显示器件层。
2.根据权利要求1所述的一种OLED显示装置制作方法,其特征在于,在基板上沉积有源层材料,在基板上形成有源层,蚀刻有源层得到触控电极区和有源区,将触控电极区进行导体化,形成透明的触控电极,有源区上的两侧作为源漏极接触区时,还包括如下步骤:
在有源层上涂布光阻,利用半灰阶掩模板对光阻进行曝光和显影,部分显影区对应触控电极区,显影后保留触控电极区上的光阻的上部分与有源区上的光阻,去除非触控电极区和非有源区上的光阻,然后以光阻为掩膜蚀刻去除非触控电极区和非有源区上的有源层;
去除触控电极区上的光阻的下部分;
将触控电极区进行导体化,形成透明的触控电极;
去除有源区上的光阻。
3.根据权利要求1所述的一种OLED显示装置制作方法,其特征在于,在基板上沉积有源层材料,在基板上形成有源层,蚀刻有源层得到触控电极区和有源区,将触控电极区进行导体化,形成透明的触控电极,有源区上的两侧作为源漏极接触区时,还包括如下步骤:
在有源层上涂布光阻,利用半灰阶掩模板对光阻进行曝光和显影,半显影区对应触控电极区与有源区上的源漏极接触区,显影后保留触控电极区与源漏极接触区上的光阻的上部分,保留有源区上的光阻,去除非触控电极区和非有源区上的光阻,然后以光阻为掩膜蚀刻去除非触控电极区和非有源区上的有源层;
去除触控电极区与源漏极接触区上的光阻的下部分;
对触控电极区进行导体化,形成触控电极,对源漏极接触区进行导体化;
去除有源区上的光阻。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种OLED显示装置制作方法,其特征在于,在第二绝缘层、源极、漏极和触控引线上制作显示器件层时,还包括如下步骤:
制作钝化层,钝化层覆盖源极、漏极和触控引线;
制作有机绝缘层,有机绝缘层覆盖钝化层,在漏极区域的有机绝缘层上制作过孔,过孔贯穿有机绝缘层和钝化层,过孔的底部为漏极;
制作阳极,阳极通过有机绝缘层上的过孔连接漏极;
制作画素定义层,画素定义层覆盖阳极;
在画素定义层上制作连通阳极的过孔,在画素定义层上的过孔处制作有机发光层,有机发光层连接阳极;
制作阴极,阴极覆盖有机发光层。
5.根据权利要求1所述的一种OLED显示装置制作方法,其特征在于,所述画素区域为多个,多个画素区域阵列排布形成一个触控模块,每个触控模块中位于一条线上的画素区域通过触控引线相连接。
6.根据权利要求1所述的一种OLED显示装置制作方法,其特征在于,在基板上沉积有源层材料前,还包括如下步骤:
在基板上制作缓冲层,所述缓冲层的上表面用于承载有源区和触控电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司,未经福建华佳彩有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010490113.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





