[发明专利]一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料及制备方法和磁芯

权利要求书

1.一种非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，量取体积比为8:2的二甲基甲酰胺DMF和蒸馏水，混合后作为混合溶剂；

步骤S2，加入FeCl₂·4H₂O、正硅酸乙酯和醋酸钠，常温搅拌10分钟至其充分溶解、混合均匀得到混合液，其中，FeCl₂·4H₂O相对于混合溶剂的浓度为10~15mg/mL，正硅酸乙酯与混合溶剂的体积比为0.001:1~0.005:1，醋酸钠相对于混合溶剂的浓度15~30mg/mL；

步骤S3，将混合液在恒温水浴中搅拌2~4小时充分反应；

步骤S4，取出反应物后，进行分离清洗，经干燥后得到非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料；

所制备的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料由纳米晶Fe₃O₄和非晶SiO₂纳米颗粒相互均匀分散组成，且两者的颗粒直径均小于5nm。

2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，该复合材料采用低温水浴法一步制备得到。

3.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，正硅酸乙酯在溶液中发生缩聚反应产生二氧化硅，调节混合溶剂及其比例使反应速度与四氧化三铁的生成速度相一致。

4.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，正硅酸乙酯在溶液中发生缩聚反应的中间产物为C₂H₅OH，C₂H₅OH具有还原性，使亚铁离子的氧化速度减慢，从而使最终的产物为四氧化三铁。

5.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，亚铁离子与DMF和水产生络合，络合物与正硅酸乙酯之间的分子力使两者产生吸附作用；亚铁络合物经分解及氧化后形成四氧化三铁；正硅酸乙酯缩聚生成产物二氧化硅；两者的相互抑制作用使四氧化三铁与氧化硅的颗粒直径非常小且分散均匀。

6.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，将混合液转移至水浴锅中在90℃下水浴搅拌2时；然后，取出后在室温下搅拌5分钟。

7.根据权利要求1所述的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，取出反应物，用酒精和蒸馏水进行磁分离清洗，室温下酒精挥发后干燥。

8.一种磁芯，其特征在于，采用权利要求1-7任一种方法制备得到的非晶纳米晶高频抗干扰磁芯复合材料压制而成。

9.根据权利要求8所述的磁芯，其特征在于，该磁芯在200MHz~2.5GHz具有100Ω以上的阻抗，在低于2MHz的频段具有小于1Ω阻抗。