[发明专利]封装结构的制作方法及封装结构在审
| 申请号: | 202010485905.8 | 申请日: | 2020-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN112864022A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
| 发明(设计)人: | 张强波;张伟杰;宋关强;余晋磊 | 申请(专利权)人: | 天芯互联科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/367 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 结构 制作方法 | ||
本申请提供一种封装结构的制作方法及封装结构,该制作方法包括:提供载板,载板的至少一表面上贴装有电子元器件和通流柱;对电子元器件和通流柱进行封装,以形成封装体;在封装体的一侧表面电镀金属层,以形成若干外接引脚;其中,至少部分外接引脚的位置与通流柱的位置对应,通流柱通过外接引脚与外界设备连通,且外接引脚的横向面积大于通流柱的横向面积。该制作方法较为简单,且所制得的封装结构的散热和通流能力较高。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种封装结构的制作方法及封装结构。
背景技术
现今的信息社会下,人类对电子产品的依赖性与日俱增,电子产品正朝着高集成度、小型化、微型化的方向蓬勃发展。
目前,为了实现产品的高集成度、小型化及微型化,一般会采用封装内堆叠封装(package in package,PiP)、封装上堆叠封装(package on package,PoP)或系统级封装(System in Package,SiP)对各个零部件进行封装;然而,现有技术中的封装结构,其制作方法较为复杂,且其散热和通流能力较弱。
发明内容
本申请提供的封装结构的制作方法及封装结构,不仅制作方法较为简单,且有效提高了封装结构的散热和通流能力。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种封装结构的制作方法,该制作方法包括:
提供载板,载板的至少一表面上贴装有电子元器件和通流柱;
对电子元器件和通流柱进行封装,以形成封装体;
在封装体的一侧表面电镀金属层,以形成若干外接引脚;
其中,至少部分外接引脚的位置与通流柱的位置对应,通流柱通过外接引脚与外界设备连通,且外接引脚的横向面积大于通流柱的横向面积。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种封装结构,该封装结构包括:
封装体,包括载板、贴装在载板至少一表面上的电子元器件以及封装层,其中,封装层覆盖于电子元器件远离载板的一侧表面,并配合载板将电子元器件封装;
外接引脚,设置在封装体的一侧表面,用于将封装体上的电子元器件与外界设备连通;
其中,载板的一侧表面还贴装有通流柱,通流柱与外接引脚连接,用于将电子元器件与外接引脚连通;且通流柱的横向面积小于外接引脚的横向面积。
本申请提供的封装结构的制作方法及封装结构,该制作方法通过提供载板,载板的至少一表面上贴装有电子元器件及通流柱,对电子元器件和通流柱进行封装,以形成封装体,在封装体的一侧表面电镀金属层,以形成若干外接引脚,从而制得封装结构;其中,至少部分外接引脚的位置与通流柱的位置对应,以使通流柱通过外接引脚与外界设备连通;同时,由于该外接引脚是在封装体的一侧表面通过电镀金属层而形成的,相比于现有技术中将通流柱与载板上的焊盘对接的方法,该方法无需与通流柱进行对准,即可使形成的外接引脚与通流柱之间实现精准对位,不仅省去了对准过程,使得制作方法更为简单,且有效保证了外接引脚与通流柱之间的对位精度,从而有效提高了产品的通流能力;另外,由于该外接引脚的横向面积相比于现有技术中与通流柱连接的焊盘的横向面积较大,从而有效提高了产品的散热能力。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的封装结构的结构示意图;
图2为本申请一实施例提供的封装结构的制作方法的流程示意图;
图3为图2中步骤S10至步骤S12所对应的产品结构示意图;
图4为本申请一具体实施方式提供的封装结构的制作方法的流程示意图;
图5为本申请一实施例提供的图2中步骤S11的具体流程示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





