[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，包括腔室本体、介质窗、匀流板，介质窗设置在腔室本体顶部，与腔室本体连接，介质窗中设置有进气口，匀流板的尺寸小于介质窗，匀流板通过绝缘连接件安装在介质窗朝向腔室本体的一面上，且覆盖进气口。本发明提供的半导体工艺腔室及半导体工艺设备，能够提高匀流板固定的灵活性，从而改善工艺结果，并降低匀流板的加工成本及加工难度。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

目前，在腔室内匀流板的固定问题中，由于感应耦合等离子体(InductivelyCoupled Plasma，ICP)刻蚀机理腔室中严苛的射频条件，以及加工工艺中严苛的洁净度要求，通常是将腔室周壁的顶部设置为台阶状，并在周壁的顶部的台阶上设置有其形状配合的台阶状支撑块，设置有进气口的介质窗放置于支撑块的顶端面上，而匀流板则搭放在支撑块的台阶上，以通过腔室周壁及支撑块对介质窗和匀流板进行支撑，并使匀流板位于介质窗的下方，使匀流板上的匀流孔位于进气口的下方。

但是，在通过腔室周壁及支撑块支撑匀流板的方式中，由于匀流板是搭放在位于腔室周壁顶部的支撑块上，因此，匀流板的直径需要大于腔室周壁的内径，这就使得匀流板与介质窗之间的间隙区域的直径大于腔室周壁的内径，而直径过大的间隙区域导致了自进气口进入的工艺气体会在该间隙区域中大量堆积，从而增加了抽真空装置的负担，影响控压能力，进而影响工艺结果。并且，由于台阶状支撑块和匀流板是依次搭放在腔室周壁的台阶上，这就使得匀流板、腔室周壁的台阶以及支撑块的台阶的加工误差都会对间隙区域的大小造成影响，使得匀流板与介质窗之间的间隙区域很难控制，从而对工艺结果造成影响。而且由于介质窗上的进气口通常仅位于介质窗的中心区域，而匀流板上的匀流孔也仅位于匀流板上对应进气口的中心区域，这就造成了原材料的浪费，增加了物料成本，并增加了加工难度。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，其能够提高匀流板固定的灵活性，从而改善工艺结果，并降低匀流板的加工成本及加工难度。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、介质窗、匀流板，所述介质窗设置在所述腔室本体顶部，与所述腔室本体连接，所述介质窗中设置有进气口，所述匀流板的尺寸小于所述介质窗，所述匀流板通过绝缘连接件安装在所述介质窗朝向所述腔室本体的一面上，且覆盖所述进气口。

可选的，所述匀流板的上表面设置有环形凸台，所述环形凸台环绕所述进气口，且所述环形凸台的上端面与所述介质窗的下表面相贴合，所述环形凸台处设置有贯穿所述匀流板和所述环形凸台的通孔；

所述介质窗的下表面与所述环形凸台的上端面相贴合的位置处设置有卡槽结构；所述绝缘连接件一端设置有卡接部，所述绝缘连接件设置有所述卡接部的一端穿过所述通孔与所述卡槽结构卡接。

可选的，所述绝缘连接件包括杆状主体，所述杆状主体的一端设置有所述卡接部，另一端设置有旋转头；

所述卡槽结构被设置为：使所述卡接部能够以第一预设角度移入或移出所述卡槽结构；当所述卡接部自所述第一预设角度旋转至第二预设角度时，所述卡槽结构与所述卡接部卡接。

可选的，所述卡槽结构包括设置在所述介质窗的下表面上的凹槽，以及设置在所述凹槽的侧壁上的定位槽；其中，所述卡接部能够以所述第一预设角度移入或移出所述凹槽；当所述卡接部自所述第一预设角度旋转至第二预设角度时，所述卡接部卡入所述定位槽中。

可选的，所述凹槽为环形，所述定位槽为多个，且沿环形的所述凹槽的圆周方向间隔设置；并且，所述绝缘连接件的数量与所述定位槽的数量相同，且一一对应地设置。

可选的，在所述凹槽相对的侧壁上设置有朝向所述定位槽延伸的坡道，且所述坡道的深度自所述凹槽的侧壁至所述定位槽逐渐减小；