[发明专利]一种高密度芯片的扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高密度芯片的扇出型封装结构，其特征在于：包括被塑封层塑封的硅基转接板，与被塑封的硅基转接板触点电连接的重新布线层，以及设置于重新布线层表面的锡球，所述硅基转接板包括至少三层二氧化硅互联层，被其中一层表层二氧化硅层包裹的多片硅片以及贯穿三层二氧化硅和硅片空隙的金属互联柱，金属互联柱间间距为5～50um。

2.根据权利要求1所述的高密度芯片的扇出型封装结构，其特征在于：所述金属互联柱碑廓位于第一二氧化硅互联层中的第一金属互联柱，位于第二二氧化硅互联层中的第二金属互联柱以及位于第三二氧化硅互联层中的第三金属互联柱，作为焊盘的第一金属互联柱相互间间距为5～20um，作为联结柱的第三金属互联柱相互间间距为10～50um，高度为30～100um，用于联结第一金属互联柱和第三金属互联柱的第二金属互联柱线宽为0.1～1um。

3.根据权利要求1所述的高密度芯片的扇出型封装结构，其特征在于：至少包含两层第二二氧化硅互联层，互相间通过第二金属互联柱连接。

4.一种如权利要求1所述的高密度芯片的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)采用二氧化硅作为基底并通过光刻、刻蚀和气相沉积的方法制作硅基转接板整板；

2)在硅基转接板整板上贴装芯片，并将硅基转接板整板切割为多个具有单独硅基转接板的封装单元；

3)将切割下来的封装单元贴装在贴附有临时键合胶的临时承载片上；

4)将封装单元进行塑封，制作塑封体；

5)去除临时载片和临时键合胶，并在塑封体上硅基转接板所在的面上制作重新布线层；

6)在重新布线层的金属焊盘上植入锡球，然后回流固化；

7)对所制作完成的扇出型集成封装体进行单元切割，便形成了一种高密度的三维扇出型集成封装结构。

5.根据权利要求4所述的高密度芯片的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤5)中，重新布线层由使用光刻的方法制作成的光敏性的聚酰亚胺有机介电层和由使用电化学镀ECD的方法制成的金属导线层构成，用于将硅基转接板上铜金属柱的信号进行引出或者互联。