[发明专利]一种低交叉极化超宽带低剖面双极化天线在审

专利信息
申请号: 202010482222.7 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN112117544A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 向东红 申请(专利权)人: 上海安费诺永亿通讯电子有限公司
主分类号: H01Q5/50 分类号: H01Q5/50;H01Q5/378
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 王晶;胡晶
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 交叉 极化 宽带 剖面 天线
【权利要求书】:

1.一种低交叉极化超宽带低剖面双极化天线,其特征在于,包括:天线辐射单元(1)、天线馈电单元(2)、天线反射单元(3);其中:

所述天线辐射单元(1),进一步包括:第一辐射面(11)、第二辐射面(12)、第一基材(13)、寄生辐射面(14)和馈电连接口(15);所述第一辐射面(11)和第二辐射面(12)均分布在第一基材(13)的上表面;所述寄生辐射面(14)分布在第一基材(13)的下表面;

所述第一辐射面(11)包括四个大小形状完全相同的覆铜面,所述四个覆铜面均匀分布在第一基材(13)的四个角内且互相分隔;

所述第二辐射面(12)包括四个大小形状完全相同的开槽面,每一个开槽面对应一个覆铜面,且每一个开槽面位于所述覆铜面的内部;

所述寄生辐射面(14)包括四个大小形状完全相同的覆铜长条,每个覆铜长条互相分隔,分别沿着所述第一基材(13)下表面的四个侧边分布,且分别与所述四个侧边平行;

所述第一辐射面(11)的四个覆铜面靠内侧区域沿对角线分别开有四个圆槽,作为馈电连接口(15);所述第一基材(13)分别对应所述四个圆槽所在位置开同样大小的圆孔,以贯通第一基材(13);

所述天线馈电单元(2),进一步包括:第一差分馈电电路(21)、第二差分馈电电路(22)和馈电探针组(23)构成;第一差分馈电电路(21)和第二差分馈电电路(22)共同作用,形成±45°双极化馈电形式;

P1为第一差分馈电电路(21)的总入口,P11和P12分别为第一差分馈电电路(21)的分支出口;P2为第二差分馈电电路(22)的总入口,P21和P22分别为第二差分馈电电路(22)的分支出口;

所述馈电探针组(23)包括四根圆铜棒,所述四根圆铜棒的一头分别连接P11、P12、P21和P22,另一头分别通过第一基材(13)开出的圆孔和馈电连接口(15)与天线辐射单元(1)连接;

所述天线反射单元(3),进一步包括:第二基材(31)和反射面(32),所述第一差分馈电电路(21)和第二差分馈电电路(22)设置于所述第二基材(31)的第一侧面上;所述反射面(32)位于所述第二基材(31)的第二侧面上。

2.如权利要求1所述的天线,其特征在于,所述第一辐射面(11)的四个覆铜面呈现钻石外形。

3.如权利要求1或2所述的天线,其特征在于,所述第二辐射面(12)的四个开槽面呈现钻石外形。

4.如权利要求1所述的天线,其特征在于,所述寄生辐射面(14)的四个覆铜长条均呈现等腰梯形外形。

5.如权利要求1所述的天线,其特征在于,通过分别对第一辐射面(11)的四个覆铜面等比例缩放并加工切割成为所述第二辐射面(12)的四个开槽面。

6.如权利要求1所述的天线,其特征在于,

所述第一基材(13)的每一侧均对应设置有一个覆铜长条和两个覆铜面;所述覆铜长条的最外边沿位于所述两个覆铜面的最外边沿正下方且相互平行。

7.如权利要求1所述的天线,其特征在于,

所述第一差分馈电电路(21)的总入口P1到分支出口P11的总长度和总入口P1到分支出口P12的总长度相差半个波长,从而分支出口P11和分支出口P12的相位相差180°,共同形成第一差分馈电电路(21);

所述第二差分馈电电路(22)的总入口P2到分支出口P21的总长度和总入口P2到分支出口P22的总长度相差半个波长,从而分支出口P21和分支出口P22的相位相差180°,共同形成第二差分馈电电路(22)。

8.如权利要求7所述的天线,其特征在于,

所述第一差分馈电电路(21)的总入口P1到分支出口P11的总长度和第二差分馈电电路(22)的总入口P2到分支出口P21的总长度相等,第一差分馈电电路(21)的总入口P1到分支出口P12的总长度和第二差分馈电电路(22)的总入口P2到分支出口P22的总长度相等。

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