[发明专利]一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备

说明书

本发明提供了一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备，涉及半导体技术领域。其中，发光二极管包括：衬底；反射发光层，设置在衬底上；第一电极、第二电极、第一绝缘层，分立设置在反射发光层上；可饱和吸收体层，设置在第一绝缘层上；第三电极、第四电极、反射复合层，分立设置在可饱和吸收体层上，反射发光层反射率大于反射复合层反射率；其中，可饱和吸收体层、第三电极、第四电极、反射复合层分别在反射发光层上的正投影与第一电极及第二电极均不重叠。本发明中，反射发光层发出的光经过可饱和吸收体层后，能量低的光被吸收较多，能量高的光被吸收较少，从而降低了发光二极管光谱的半高宽，提高了发光二极管的色光颜色纯度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种常用的发光器件，可以通过电子与空穴的复合释放能量发光，它在照明、显示、医疗等诸多领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途。但是，目前的发光二极管的光谱半高宽较大，从而使得发光二极管的色光颜色纯度较低。

发明内容

本发明提供一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备，以解决现有发光二极管的光谱半高宽较大，色光颜色纯度较低的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种发光二极管，包括：

衬底；

反射发光层，设置在所述衬底上；

第一电极、第二电极和第一绝缘层，分立设置在所述反射发光层上；

可饱和吸收体层，设置在所述第一绝缘层上；

第三电极、第四电极和反射复合层，分立设置在所述可饱和吸收体层上，所述反射发光层的反射率大于所述反射复合层的反射率；

其中，所述可饱和吸收体层、所述第三电极、所述第四电极和所述反射复合层分别在所述反射发光层上的正投影与所述第一电极及所述第二电极均不重叠。

可选地，所述可饱和吸收体层包括：

第一P型半导体层，设置在所述第一绝缘层上，所述第三电极设置在所述第一P型半导体层上；

第一量子阱层，设置在所述第一P型半导体层上，所述第一量子阱层在所述第一P型半导体层上的正投影与所述第三电极不重叠；

第一N型半导体层，设置在所述第一量子阱层上，所述第一N型半导体层在所述第一P型半导体层上的正投影与所述第三电极不重叠，所述第四电极设置在所述第一N型半导体层上。

可选地，所述反射发光层包括：

P型半导体反射复合层，设置在所述衬底上，所述第一电极设置在所述P型半导体反射复合层上；

第二量子阱层，设置在所述P型半导体反射复合层上，所述第二量子阱层在所述P型半导体反射复合层上的正投影与所述第一电极不重叠；

第二N型半导体层，设置在所述第二量子阱层上，所述第二N型半导体层在所述P型半导体反射复合层上的正投影与所述第一电极不重叠，所述第二电极设置在所述第二N型半导体层上。

可选地，所述P型半导体反射复合层具有反射镜结构；或者，

所述P型半导体反射复合层包括叠层设置的第二P型半导体层和第一反射镜层，其中，所述第一反射镜层靠近所述衬底设置。

可选地，所述发光二极管还包括：

光放大器层，设置在所述反射复合层上；

第五电极和第六电极，分立设置在所述光放大器层上；