[发明专利]超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置

说明书

本发明公开了一种超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置，其中，包括：超高真空金属密封法兰、设置在所述超高真空金属密封法兰第一侧的升降机构、设置在所述超高真空金属密封法兰第二侧的水冷屏蔽桶、位于所述水冷屏蔽桶内并依次排列的材料承载坩埚、电子发射器以及蒸发离子流检测器；所述升降机构通过高压聚焦电极杆与所述材料承载坩埚连接，并用于调整所述材料承载坩埚与所述电子发射器之间的间距；所述电子发射器与所述超高真空金属密封法兰连接，所述蒸发离子流检测器与所述水冷屏蔽桶连接。本申请通过采用水冷屏蔽桶，避免蒸镀过程中对其他部件造成干扰或影响，有利于蒸镀中对蒸发速率的控制。

技术领域

本发明涉及镀膜设备技术领域，特别是涉及一种超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置。

背景技术

在各种物理沉积方式中热蒸发方式在薄膜的制备中广泛使用。同行众知，薄膜制备装备的极限真空度越高，本底越纯净，膜层缺陷越少，制备的薄膜质量越好。分子束外延(MBE)装备正是有其超高真空本底(极限真空度为2×10^-8Pa；保持真空为2×10^-7Pa)，才能够制备出高质量的多晶膜，微晶膜以及单晶膜，因此分子束外延(MBE)装备受到科研人员及器件生产公司的青睐。

在超高真空条件下，材料承载坩埚中被蒸发材料的温度较高，蒸发速率难以控制。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置，旨在解决超高真空条件下，蒸发速率难以控制的技术问题。

本发明的技术方案如下：

一种超高真空电子束蒸发器，其中，包括：超高真空金属密封法兰、设置在所述超高真空金属密封法兰第一侧的升降机构、设置在所述超高真空金属密封法兰第二侧的水冷屏蔽桶、位于所述水冷屏蔽桶内并依次排列的材料承载坩埚、电子发射器以及蒸发离子流检测器；所述升降机构通过高压聚焦电极杆与所述材料承载坩埚连接，并用于调整所述材料承载坩埚与所述电子发射器之间的间距；所述电子发射器与所述超高真空金属密封法兰连接，所述蒸发离子流检测器与所述水冷屏蔽桶连接。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述高压聚焦电极杆上设置有滑块，所述超高真空金属密封法兰上设置有与所述滑块配合的滑杆，所述滑块可沿所述滑杆滑动。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述水冷屏蔽桶上设置有屏蔽罩，所述屏蔽罩形成蒸发通道。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述蒸发离子流检测器为离子收集板，所述水冷屏蔽桶和所述屏蔽罩均与所述离子收集板绝缘。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述超高真空电子束蒸发器还包括：设置在所述超高真空金属密封法兰第一侧的旋转机构、与所述旋转机构连接并用于打开或关闭所述蒸发通道电动挡板。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述升降机构包括：设置在所述超高真空金属密封法兰第一侧的金属焊接波纹管、与所述金属焊接波纹管连接的移动块、与所述移动块螺纹连接的螺杆、与所述螺杆连接的驱动件；所述高压聚焦电极杆位于所述金属焊接波纹管内并与所述移动块连接。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述电子发射器为圆环形电子发射器。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述超高真空电子束蒸发器还包括：与所述电子发射器连接的陶封电极。

所述的超高真空电子束蒸发器，其中，所述水冷屏蔽桶采用全封闭式双层壁结构。

一种电子束镀膜装置，其中，包括：如上述任意一项所述的超高真空电子束蒸发器。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：