[发明专利]一种兰姆波谐振器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，包括衬底(1)、单晶薄板(2)以及叉指电极(4)，所述衬底(1)上表面具有空气腔(3)，所述单晶薄板(2)覆盖在所述衬底(1)上并密封住所述空气腔(3)，所述单晶薄板(2)上表面设有所述叉指电极(4)。

2.根据权利要求1所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，还包括过渡层(7)，所述过渡层(7)夹设于所述衬底(1)和所述单晶薄板(2)之间。

3.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述单晶薄板(2)材料由铌酸锂或者钽酸锂单晶薄板材料制成。

4.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述衬底(1)由硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝、三氧化二铝、砷化镓、氮化镓中一种或者多种材料制成。

5.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述叉指电极(4)的线条宽度为0.25-5微米,所述叉指电极(4)通过切指加权处理。

6.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述单晶薄板(2)厚度为0.05-5μm，所述单晶薄板(2)上下表面粗糙度在1nm以内。

7.一种如权利要求2-6任一项所述兰姆波谐振器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：清洗单晶材料基板(6)，得到清洁单晶材料基板(6)；在衬底(1)上表面刻蚀凹槽并在凹槽内填充牺牲层(5)，得到带有所述牺牲层(5)的所述衬底(1)，抛光带有所述牺牲层(5)的所述衬底(1)，得到抛光后衬底(1)，在所述抛光后衬底(1)上表面生长一层过渡层(7)用于缓冲过渡；

步骤2：将所述单晶材料基板(6)与所述过渡层(7)晶晶键合；

步骤3：对所述单晶材料基板(6)进行处理得到单晶薄板(2)，在所述衬底(1)上表面只留下所述单晶薄板(2)；

步骤4：释放所述牺牲层(5)，得到空气腔(3)；

步骤5：在所述单晶薄板(2)上表面制作叉指电极(4)。

8.根据权利要求7所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，对所述单晶材料基板(6)进行减薄并抛光处理得到所述单晶薄板(2)。

9.根据权利要求7所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述步骤1中，得到清洁单晶材料基板(6)之后，在所述清洁单晶材料基板(6)上形成单晶薄板(2)；所述步骤2中，将清洁单晶材料基板(6)上的所述单晶薄板(2)与所述过渡层(7)晶晶键合；所述步骤3中，对所述单晶材料基板(6)处理为去除掉所述单晶材料基板(6)。