[发明专利]一种MOSFET芯片版图结构

说明书

本发明是一种MOSFET芯片版图结构，应用于一种MOSFET芯片，包括位于底部的第一层源极金属和与第一层源极金属顶面接触的第二层源极金属，第一层源极金属为四周包围有栅极Bus条的源极区，栅极Bus条上开有栅极刻蚀窗口，第二层源极金属覆盖第一层源极金属，第二层源极金属上设栅极键合区通过栅极刻蚀窗口与栅极Bus条接触。本发明的优点：正面金属采用双层布线，即第一层金属除栅极Bus条外，全部为源极金属，因此可将原栅极键合区域全部拓展为源极区域，增加了芯片的元胞区域，从而有效降低了芯片的导通电阻，提高了芯片性能；或在获得相同导通电阻的情况下，可减少芯片面积，最终降低芯片成本。

技术领域

本发明涉及的是一种MOSFET芯片版图结构。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在电力电子领域的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，简称包括NMOS、PMOS等。

现有技术中的MOSFET芯片一般正面金属为单层金属，正面金属的两个电极：栅极(G极)和源极(S极)只能布局于同一层金属上，因此栅极会占用源极的部分面积。如图1所示，栅极键合区占用了较多源极区域面积。导致芯片导通电阻较高，芯片性能不足；另一方面，为达到目标导通电阻，需要较大芯片面积，芯片成本较高。

发明内容

本发明提出的是一种MOSFET芯片版图结构，其目的旨在克服现有技术存在的上述不足，实现有效降低芯片导通电阻，改善芯片性能，缩小芯片面积，降低芯片成本。

本发明的技术解决方案：一种MOSFET芯片版图结构，应用于一种MOSFET芯片，包括位于底部的第一层源极金属和与第一层源极金属顶面接触的第二层源极金属，第一层源极金属为四周包围有栅极Bus条的源极区，栅极Bus条上开有栅极刻蚀窗口，第二层源极金属覆盖第一层源极金属，第二层源极金属上设栅极键合区通过栅极刻蚀窗口与栅极Bus条接触。

优选的，所述的第二层源极金属面积大于第一层源极金属面积。

一种MOSFET芯片版图结构的制造方法，包括以下工艺步骤：

1)栅极Bus和源极被相同的金属覆盖，完成第一层金属；

2)第一层金属进行光刻和刻蚀，分开源极与栅极的Bus金属；

3)进行介质层淀积，并进行光刻和刻蚀，栅极刻蚀窗口开在栅极Bus上；

4)完成第二层金属与第一层金属的栅极Bus金属进行接触；

5)最后再进行一次光刻和刻蚀，分开第二层金属上的栅极和源极。

本发明的优点：正面金属采用双层布线，即第一层金属除栅极Bus条外，全部为源极金属，因此可将原栅极键合区域全部拓展为源极区域，增加了芯片的元胞区域，从而有效降低了芯片的导通电阻，提高了芯片性能；或在获得相同导通电阻的情况下，可减少芯片面积，最终降低芯片成本。

附图说明

图1是现有技术MOSFET芯片版图结构的示意图。

图2是本发明MOSFET芯片版图结构第一层金属的示意图。

图3是本发明MOSFET芯片版图结构的示意图。

图4是图3中A部纵向剖视图。

图中的1是源极区、2是栅极键合区、3是栅极Bus条。

具体实施方式

下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。