[发明专利]显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202010438783.7 | 申请日: | 2020-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN111613632A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
| 发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板通过围绕绑定端子设置阻挡图案,使阻挡图案和绑定端子形成开口,开口的上端宽度大于开口的下端的宽度,使得在微型发光二极管芯片出现偏移时,微型发光二极管芯片能够从阻挡图案上滑落至绑定端子上,与绑定端子对位贴合,从而减少了偏移的微型发光二极管芯片的数量,缓解了现有Micro‑LED显示面板存在Micro‑LED芯片与绑定端子容易出现对位偏移,导致Micro‑LED芯片脱落的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
现有显示技术朝着Micro-LED(微型发光二极管)显示技术发展,在Micro-LED显示面板制备过程中,会需要使用巨量转移技术将Micro-LED芯片转移到对应位置,使得Micro-LED芯片正常显示,如图1所示,现有Micro-LED芯片在绑定到驱动电路上时,会连接层将Micro-LED芯片绑定在绑定端子上,但在实际过程中,由于Micro-LED芯片与绑定端子之间的对位精度较高,导致Micro-LED芯片容易与绑定端子之间出现对位偏移,导致Micro-LED芯片滑落,导致显示不良,同时,在绑定Micro-LED芯片时,Micro-LED芯片数量较大,会进一步导致Micro-LED芯片出现脱落的可能性增大。
所以,现有Micro-LED显示面板存在Micro-LED芯片与绑定端子容易出现对位偏移,导致Micro-LED芯片脱落的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法,用以缓解现有Micro-LED显示面板存在Micro-LED芯片与绑定端子容易出现对位偏移,导致Micro-LED芯片脱落的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:
基板;
驱动电路层,设置于所述基板上,形成有用于驱动微型发光二极管芯片的驱动电路;
绑定端子,设置于所述驱动电路层上,并与所述驱动电路对应;
阻挡层,形成围绕所述绑定端子设置的阻挡图案,所述阻挡图案的厚度大于所述绑定端子的厚度,所述阻挡图案与所述绑定端子形成有开口,所述开口的上端的宽度大于所述开口的下端的宽度;
连接层,设置于所述绑定端子上,且位于所述开口内;
微型发光二极管芯片,设置于所述连接层上,且位于所述绑定端子与阻挡图案形成的开口内。
在一些实施例中,所述微型发光二极管芯片包括发光层、第一电极和第二电极,所述第一电极设置于所述发光层与所述绑定端子之间,所述第二电极设置于所述发光层远离所述绑定端子的一侧。
在一些实施例中,所述开口的截面形状为倒梯形。
在一些实施例中,所述阻挡图案与所述绑定端子的延长线之间形成的夹角的取值范围为30度至60度。
在一些实施例中,所述阻挡图案与所述绑定端子接触的一侧为曲面,所述曲面的上端的宽度大于所述绑定端子的宽度。
在一些实施例中,所述微型发光二极管芯片包括发光层、第一电极、第二电极,所述第一电极与所述第二电极设置于所述发光层与所述绑定端子之间,所述第一电极连接第一绑定端子,所述第二电极连接所述第二绑定端子。
在一些实施例中,所述阻挡图案围绕所述第一绑定端子和所述第二绑定端子设置,且所述阻挡图案设置于所述第一绑定端子与所述第二绑定端子之间。
在一些实施例中,所述第一绑定端子与所述第二绑定端子的厚度相同,位于所述第一绑定端子与所述第二绑定端子之间的阻挡图案的厚度,大于或者等于所述第一绑定端子的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





