[发明专利]衬底托

说明书

本公开提供了一种衬底托，用于支撑衬底，在衬底上进行材料生长，其中，所述衬底托包括：基座和支撑装置；所述基座为环状结构；所述支撑装置第一端与所述基座一体相连；所述支撑装置第二端为弧面结构，且与所述衬底下表面相切。本公开中通过减小支撑装置与衬底的接触面，降低支撑装置与衬底之间的热传导，实现衬底表面高均匀性温度分布，提高材料生长质量。

技术领域

本公开涉及材料生长领域，尤其涉及一种衬底托。

背景技术

在半导体、金属、拓扑绝缘体、磁性材料、有机化合物半导体等材料的薄膜生长中，通常会使用分子束外延、化学气相沉积、热蒸发镀膜、电子束蒸发镀膜、磁控溅射、原子层沉积、脉冲激光沉积等材料生长设备。

这些设备在进行材料生长时通常是在特定的衬底上生长的，为了方便交接传递以及在生长过程中旋转，衬底并不是直接固定在衬底加热器上，而是通常安装或放置在衬底托上，进而衬底托再安装在衬底加热器上，实现生长过程中的衬底加热。所以衬底托的结构形式对材料生长较为重要，并且对衬底表面的温度分布均匀性有很大影响。对于尺寸较大的衬底以及生长面朝下的衬底安装形式，目前的衬底托普遍采用边缘承载式结构形式，但衬底托与衬底下表面的接触面积较大，衬底托与衬底之间存在较大的热传导，导致了沿衬底径向的温度分布不均匀，影响材料生长质量。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种衬底托，以至少部分解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种衬底托，用于支撑衬底，在衬底上进行材料生长，其中，所述衬底托包括：

基座，为环状结构；

支撑装置，所述支撑装置第一端与所述基座一体相连；所述支撑装置第二端为弧面结构，且与所述衬底下表面相切，以减小支撑装置与衬底的接触面，降低支撑装置与衬底之间的热传导。

在本公开的一些实施例中，所述支撑装置为环状结构；所述支撑装置的截面为圆形和/或半圆形。

在本公开的一些实施例中，所述支撑装置包括：

多个支撑块，在所述基座上绕中心轴线均匀分布；所述支撑块为球状和/或半球状。

在本公开的一些实施例中，还包括：

多个限位块，设置于所述基座的内壁面上，所述限位块绕所述衬底侧壁均匀分布。

在本公开的一些实施例中，所述限位块与所述衬底侧壁相接触的端部为弧面结构。

在本公开的一些实施例中，所述支撑块的数量为3-10个。

在本公开的一些实施例中，所述限位块的数量为3-10个。

在本公开的一些实施例中，所述基座包括：

第一孔，所述第一孔的直径大于所述衬底的直径；

第二孔，所述第二孔的直径小于所述衬底的直径；所述第二孔与所述第一孔的交汇处形成一台阶平面，所述支撑装置第一端与所述台阶平面一体相连。

在本公开的一些实施例中，所述基座和所述支撑装置的材料为钼、钽、钛中一种或多种。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本公开衬底托至少具有以下有益效果其中之一或其中一部分：

(1)本公开支撑装置的端部为弧面结构，以较小的接触面积承载衬底，有效降低衬底与衬底托之间的热传导。

(2)本公开限位块，对衬底进行空间限位，并且与衬底侧壁接触较小，可降低衬底与衬底托之间的热传导。