[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片包括衬底（10）、N型半导体层（21）、有源层（22）、P型半导体层（23）、反射电极（41）、连接电极（42）、绝缘介质层（50）、P型焊盘（61）和N型焊盘（62）；

所述N型半导体层（21）、所述有源层（22）和所述P型半导体层（23）依次层叠在所述衬底（10）上，所述P型半导体层（23）上设有延伸至所述N型半导体层（21）的凹槽（100）；所述连接电极（42）设置在所述凹槽（100）内的N型半导体层（21）上，所述反射电极（41）设置在所述P型半导体层（23）上；所述绝缘介质层（50）铺设在所述凹槽（100）内和所述反射电极（41）上，所述绝缘介质层（50）内分别设有延伸至所述反射电极（41）的P型连通孔（400）和延伸至所述连接电极（42）的N型连通孔（500）；所述P型焊盘（61）设置在所述P型连通孔（400）内与所述反射电极（41）接触，并覆盖在所述P型连通孔（400）周围的所述绝缘介质层（50）上；所述N型焊盘（62）设置在所述N型连通孔（500）内与所述连接电极（42）接触，并覆盖在所述N型连通孔（500）周围的所述绝缘介质层（50）上；

所述P型焊盘（61）和所述N型焊盘（62）均包括多个周期的复合层（71）和层叠在所述复合层（71）上的焊接层（72），每个周期的所述复合层（71）包括Ti层（711）和层叠在所述Ti层（711）上的Al层（712），所述焊接层（72）为AuSn合金层，所述焊接层（72）中Au组分的含量为64％~68％，所述P型焊盘（61）和所述N型焊盘（62）还包括层叠在所述焊接层（72）上的Au层（73），所述焊接层（72）包括依次层叠的多个AuSn合金层，所述多个AuSn合金层的数量为三个，三个所述AuSn合金层沿远离所述复合层的方向依次为第一AuSn合金层（721）、第二AuSn合金层（722）、第三AuSn合金层（723），所述Au层（73）和所述第三AuSn合金层（723）组成的叠层结构中Au组分的平均含量等于所述第二AuSn合金层（722）中Au组分的含量，所述Au层（73）的厚度满足如下关系式：

D=d3*（a2-a3）；

其中，D为所述Au层（73）的厚度，d3为所述第三AuSn合金层（723）的厚度，a2为所述第二AuSn合金层（722）中Au组分的含量，a3为所述第三AuSn合金层（723）中Au组分的含量。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述多个AuSn合金层中Au组分的含量沿远离所述复合层（71）的方向逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述Au层（73）的厚度小于200埃。

4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一AuSn合金层（721）中Au组分的含量为88％~92％，所述第二AuSn合金层（722）中Au组分的含量为64％~68％，所述第三AuSn合金层（723）中Au组分的含量为59％~63％。

5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一AuSn合金层（721）和所述第三AuSn合金层（723）的厚度之和小于所述第二AuSn合金层（722）的厚度，所述第一AuSn合金层（721）的厚度小于所述第三AuSn合金层（723）的厚度。

6.根据权利要求1~5任一项所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型焊盘（61）和所述N型焊盘（62）还包括粘附层（74）和阻挡层（75），所述粘附层（74）层叠在所述复合层（71）和所述焊接层（72）之间，所述阻挡层（75）层叠在所述粘附层（74）和所述焊接层（72）之间；所述粘附层（74）为Ti层或者Ni层，所述阻挡层（75）为Pt层或者Ru层。

7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述粘附层（74）的厚度大于所述阻挡层（75）的厚度。