[发明专利]β-Ga2

说明书

本发明提供一种能够有效地抑制双晶化的β‑Ga₂O₃系单晶基板。本发明的一个实施方式提供一种β‑Ga₂O₃系单晶基板，其中，主面上的与生长轴垂直的方向的每1cm的双晶的平均数小于30.7个。

本申请是分案申请，原案申请的申请号为201280055743.8，国际申请号为PCT/JP2012/079265，申请日为2012年11月12日，发明名称为“β-Ga₂O₃系单晶的生长方法”。

技术领域

本发明涉及β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，特别涉及能够抑制双晶化的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法。

背景技术

以往，已知通过布里奇曼法使与晶种大致相同大小的InP单晶生长的晶体生长方法(例如，参照非专利文献1)。根据非专利文献1所记载的方法，能够得到不含双晶的InP单晶。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：F.Matsumoto,et al.Journal of Crystal Growth 132(1993)pp.348-350.

发明内容

但是，通过布里奇曼法使单晶生长时，晶体生长后需要将单晶与坩埚剥离，因此坩埚由与晶体的密合性高的材料构成时，难以取下生长的单晶。

例如，Ga₂O₃晶体的生长通常使用由Ir构成的坩埚，但Ir对β-Ga₂O₃系单晶的密合性高。因此，使用布里奇曼法使β-Ga₂O₃系单晶生长时，难以从坩埚取下单晶。

因此，本发明的目的是提供一种能够得到双晶化被抑制的β-Ga₂O₃系单晶的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法。

本发明的一个方式为了达成上述目的，提供[1]～[4]的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法。

[1]一种β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，是使用EFG法的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，其中，包括使晶种与Ga₂O₃系熔液接触的工序，以及提拉上述晶种，且不进行缩颈工序地使β-Ga₂O₃系单晶生长的工序；在全部方向上述β-Ga₂O₃系单晶的宽度为上述晶种的宽度的110％以下。

[2]根据上述[1]所述的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，其中，在全部方向上述β-Ga₂O₃系单晶的宽度为上述晶种的宽度的100％以下。

[3]根据上述[2]所述的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，其中，在全部方向上述β-Ga₂O₃系单晶的宽度与上述晶种的宽度相等。

[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，其中，使上述β-Ga₂O₃系单晶向其b轴方向生长。

根据本发明，能够提供可有效地抑制双晶化的β-Ga₂O₃系单晶的生长方法。