[发明专利]一种硅片背封层的边缘去除装置及边缘去除方法有效
| 申请号: | 202010428566.X | 申请日: | 2020-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN111341704B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 衡鹏 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
| 地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 背封层 边缘 去除 装置 方法 | ||
1.一种硅片背封层的边缘去除装置,其特征在于,包括:夹具,所述夹具包括相对设置的第一夹板和第二夹板,所述第一夹板和所述第二夹板之间形成夹持空间;放置于所述夹持空间内的底膜和至少一个功能膜,所述底膜贴设于所述第二夹板上;在仅有一个功能膜的情况下,所述功能膜和所述底膜之间用于夹设一片硅片;在具有至少两个功能膜的情况下,所述至少两个功能膜层叠设置,相邻两个所述功能膜之间以及所述功能膜和所述底膜之间均用于夹设一片硅片;所述功能膜包括叠设的第一膜层和第二膜层,所述第一膜层的面积大于所述第二膜层的面积以在所述第一膜层上形成台阶面,所述台阶面与所述硅片上形成有背封层的一面的边缘相对,所述台阶面上开设有若干出液口;刻蚀液供给管路,所述刻蚀液供给管路与所述若干出液口连通,用于通过所述若干出液口向所述硅片上形成有背封层的一面的边缘喷射刻蚀液;所述刻蚀液供给管路包括供应管和若干刻蚀管,所述供应管和所述若干刻蚀管设置于所述第一膜层内部,所述供应管的第一端与每一所述刻蚀管的第一端连通,每一所述刻蚀管的第二端与一所述出液口连通,所述若干刻蚀管呈放射状设置。
2.根据权利要求1所述的边缘去除装置,其特征在于,在具有至少两个功能膜的情况下,相邻的两个所述第一膜层内部的供应管的第二端通过连接管连通,所述连接管还与刻蚀液供给源连通。
3.根据权利要求1所述的边缘去除装置,其特征在于,所述出液口的横截面形状为圆形或长方形。
4.根据权利要求1所述的边缘去除装置,其特征在于,所述第二膜层的厚度为0.5mm~1.5mm,所述台阶面的宽度为0.1mm~2.5mm。
5.根据权利要求1所述的边缘去除装置,其特征在于,所述出液口与所述第二膜层的最小距离为5~50μm。
6.根据权利要求1所述的边缘去除装置,其特征在于,所述第一膜层和所述第二膜层的材质为PVC、PFA、PTFE中的任意一者。
7.根据权利要求1所述的边缘去除装置,其特征在于,还包括:
离心槽,所述夹具放置于所述离心槽内,所述夹具与所述离心槽连接,所述夹具可在所述离心槽的驱动下绕所述夹具的轴线作自转运动。
8.一种硅片背封层的边缘去除方法,应用于如权利要求1-7中任一项所述的边缘去除装置,其特征在于,包括:
利用夹具夹持底膜、至少一个功能膜和硅片,使所述功能膜的台阶面与所述硅片上形成有背封层的一面的边缘相对,其中,在仅有一个功能膜的情况下,所述功能膜和所述底膜之间夹设一片硅片,在具有至少两个功能膜的情况下,所述至少两个功能膜层叠设置,相邻两个所述功能膜之间以及所述功能膜和所述底膜之间均夹设一片硅片;
旋转夹具,同时利用刻蚀液供给管路通过所述若干出液口向所述硅片上形成有背封层的一面的边缘喷射刻蚀液,直至所述硅片边缘处的背封层被完全去除。
9.根据权利要求8所述的边缘去除方法,其特征在于,所述刻蚀液为氢氟酸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





