[发明专利]SiC安全组件及其保护方法在审
| 申请号: | 202010424820.9 | 申请日: | 2020-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN111431165A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 汪飞;罗安;李武华;周乐明;钟政;陈全 | 申请(专利权)人: | 浙江巨磁智能技术有限公司 |
| 主分类号: | H02J1/00 | 分类号: | H02J1/00 |
| 代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 程开生 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉兴市昌盛*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | sic 安全 组件 及其 保护 方法 | ||
1.一种SiC安全组件的保护方法,将SiC安全组件安装于电源输入和用电设备之间,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:电源输入的火电端L与用电设备的一端依次连接第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的源极和第二晶体管的源极电性连接;
步骤S2:电源输入的零线端N与用电设备的另一端依次连接第三晶体管和第四晶体管,第三晶体管的源极和第四晶体管的源极电性连接;
步骤S3:信号采集单元安装于电源输入和用电设备之间并且实时采集电源输入传送到用电设备的电源的综合参数;
步骤S4:信号采集单元将采集的综合参数发送到诊断单元,诊断单元将采集的综合参数与预设的触发点进行判断处理;
步骤S5:诊断单元输出相应的信息到控制驱动单元,并且控制驱动单元分别相应控制第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的通断。
2.根据权利要求1所述的一种SiC安全组件的保护方法,其特征在于,步骤S3具体实施为以下步骤:
步骤S3.1:信号采集单元实时采集电源的电压参数;
步骤S3.2:信号采集单元实时采集电源的电流参数;
步骤S3.3:信号采集单元实时采集电源的温度参数;
步骤S3.4:信号采集单元将电压参数、电流参数和温度参数综合处理后形成综合参数。
3.根据权利要求2所述的一种SiC安全组件的保护方法,其特征在于,步骤S4具体实施为以下步骤:
步骤S4.1:当综合参数达到预设的触发点时,执行步骤S5;
步骤S4.2:当综合参数没有达到预设的触发点时,执行步骤S3。
4.根据权利要求3所述的一种SiC安全组件的保护方法,其特征在于,步骤S4.1具体实施为以下步骤:
步骤S4.1.1:当综合参数中的电压参数达到预设的触发点时,执行步骤S5;
步骤S4.1.2:当综合参数中的电流参数达到预设的触发点时,执行步骤S5;
步骤S4.1.3:当综合参数中的温度参数达到预设的触发点时,执行步骤S5。
5.一种SiC安全组件,SiC安全组件安装于电源输入和用电设备之间,其特征在于,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、信号采集单元、诊断单元和控制驱动单元,其中:
电源输入的火电端L与用电设备的一端依次连接第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的源极和第二晶体管的源极电性连接;
电源输入的零线端N与用电设备的另一端依次连接第三晶体管和第四晶体管,第三晶体管的源极和第四晶体管的源极电性连接;
信号采集单元安装于电源输入和用电设备之间并且实时采集电源输入传送到用电设备的电源的综合参数;
信号采集单元将采集的综合参数发送到诊断单元,诊断单元将采集的综合参数与预设的触发点进行判断处理;
诊断单元输出相应的信息到控制驱动单元,并且控制驱动单元分别相应控制第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的通断。
6.根据权利要求5所述的一种SiC安全组件,其特征在于,第一晶体管的漏极与电源输入的火线端L电性连接,并且第一晶体管的栅极与控制驱动单元的一端电性连接,第二晶体管的漏极通过信号采集单元与用电设备的一端电性连接,第二晶体管的栅极与控制驱动单元的一端电性连接;
第三晶体管的漏极与电源输入的零线端N电性连接,并且第三晶体管的栅极与控制驱动单元的一端电性连接,第四晶体管的漏极通过信号采集单元与用电设备的另一端电性连接,第四晶体管的栅极与控制驱动单元的一端电性连接。
7.根据权利要求6所述的一种SiC安全组件,其特征在于,信号采集单元通过诊断单元与控制驱动单元电性连接。
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