[发明专利]AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板在审
| 申请号: | 202010420981.0 | 申请日: | 2020-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN111613180A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
| 发明(设计)人: | 夏浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | amoled 像素 补偿 驱动 电路 方法 显示 面板 | ||
1.一种AMOLED像素补偿驱动电路,其特征在于,包括:第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T5)、第七晶体管(T7)、存储电容和有机发光二极管;
所述第一晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),源极电性连接第三节点(Q),漏极连接第二节点(P);
所述第二晶体管(T2)的栅极接入当前行扫描信号(Sn),源极电性连接所述第三节点(Q),漏极接入数据电压Vdata;
所述第三晶体管(T3)的栅极接入当前行扫描信号(Sn),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接所述第二节点(P);
所述第四晶体管(T4)的栅极接入前级扫描信号(Sn-1),源级接入所述第一节点(G),漏极接入初始化电压(Vi);
所述第五晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM),源极接入当前行扫描信号(Sn),漏极电性连接所述第三节点(Q);
所述第六晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM),源极电性连接第二节点(P),漏极电性连接第四节点(W);
所述第七晶体管(T7)的栅极接入当前行扫描信号(Sn),源极初始化电压(Vi),漏极电性连接第四节点(W);
所述存储电容的一端接入参考电压Vref,另一端电性连接所述第一节点(G);
所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第四节点(W),阴极端接入电源负电压(VSS)。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素补偿驱动电路,其特征在于,所述AMOLED像素补偿驱动电路的运行流程包括复位阶段(A1)、阈值电压补偿阶段(A2)及发光阶段(A3);
在所述复位阶段(A1),所述第四晶体管(T4)打开,所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)关闭;
在所述阈值电压补偿阶段(A2),所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)和所述第七晶体管(T7)打开,所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)关闭;
在所述发光阶段(A3),所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)打开,所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)和所述第七晶体管(T7)关闭。
3.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为(P)型薄膜晶体管;
在所述复位阶段(A1),所述前级扫描信号(Sn-1)为低电位,所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)为高电位;
在所述阈值电压补偿阶段(A2),所述当前行扫描信号(Sn)为低电位,所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)为高电位;
在所述发光阶段(A3),所述发光控制信号(EM)为低电位,所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)为高电位。
4.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为N型薄膜晶体管;
在所述复位阶段(A1),所述前级扫描信号(Sn-1)为高电位,所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)为低电位;
在所述阈值电压补偿阶段(A2),所述当前行扫描信号(Sn)为高电位,所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)为低电位;
在所述发光阶段(A3),所述发光控制信号(EM)为高电位,所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)为低电位。
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