[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置封装，其包含第一导电层、第二导电层和第三导电层。所述第一导电层具有第一间距。所述第二导电层具有第二间距并且布置在所述第一导电层的两个不同的侧面处。所述第三导电层具有第三间距并且安置在所述第一导电层和所述第二导电层上方。所述第三导电层电连接到所述第一导电层。所述第一间距小于所述第三间距，并且所述第三间距小于所述第二间距。

技术领域

除了别的之外，本发明涉及半导体装置封装及其制造方法。

背景技术

半导体装置封装可包含堆叠到彼此的一些半导体装置。然而，晶片弯曲或高厚度可能不利地影响半导体装置封装的性能和效率。

发明内容

根据本公开的一些实例实施例，半导体装置封装包含第一导电层、第二导电层和第三导电层。第一导电层具有第一间距。第二导电层具有第二间距并且布置在第一导电层的两个不同侧面处。第三导电层具有第三间距并且安置在第一导电层和第二导电层上方。第三导电层电连接到第一导电层。第一间距小于第三间距，并且第三间距小于第二间距。

根据本公开的一些实例实施例，半导体装置封装包含第一导电层、第一介电层、第二导电层、第二介电层和第三导电层。第一介电层覆盖第一导电层。第二导电层安置在第一介电层的两个不同侧面处。第三导电层安置在第一导电层和第二导电层上方。第二介电层覆盖第一导电层、第一介电层、第二导电层和第三导电层的至少一部分。第一介电层的硬度大于第二介电层的硬度。

根据本公开的一些实例实施例，制造半导体装置封装的方法包含：提供载体；在载体上安置第一导电层；在载体上在第一导电层的不同侧面处安置两个第二导电层；在第一导电层和第二导电层上方安置第三导电层；以及将两个裸片连接到第三导电层。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本发明的方面。应注意，各种特征可能并不按比例绘制。实际上，为了论述的清楚起见，可任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装的截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。

图3是根据本发明的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I、图4J和图4K说明了根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的方法的各个阶段。

图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F和图5G说明根据本申请的一些实施例用于制造另一半导体装置封装的方法的各个阶段。

贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述，本发明将更显而易见。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然，这些仅是实例且并不意图是限制性的。在本发明中，在以下描述中对第一特征在第二特征之上或上的形成的参考可包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

下文详细论述本发明的实施例。然而，应了解，本发明提供了可在多种多样的特定情境中实施的许多适用的概念。所论述的特定实施例仅仅是说明性的且并不限制本发明的范围。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体装置封装1的截面图。半导体装置封装1包含电子组件11a、11b和11c、互连层14，以及导电连接件14m，其可以沉积在衬底上。取决于特定应用，衬底可以是柔性衬底或刚性衬底。