[发明专利]一种硅片边缘剥离方法及硅片在审
| 申请号： | 202010392779.1 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111540676A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 衡鹏;徐鹏;文英熙 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 边缘 剥离 方法 | ||
1.一种硅片边缘剥离方法，其特征在于，包括：
对硅片背面的氧化层进行边缘剥离；
对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理。
2.根据权利要求1所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅薄膜层。
3.根据权利要求1所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述对硅片背面的氧化层进行边缘剥离包括：
对硅片背面除边缘区域以外的其他区域进行覆盖保护；
采用刻蚀液对硅片背面的边缘区域的氧化层进行刻蚀。
4.根据权利要求3所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述刻蚀液为氢氟酸。
5.根据权利要求3所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理之前，还包括：
清洗边缘剥离后的硅片。
6.根据权利要求1所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理，包括：
对边缘剥离后的硅片的正面进行氧化处理，使硅片的正面形成亲水性的氧化物层。
7.根据权利要求6所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行氧化处理，包括：
将边缘剥离后的硅片的正面浸入氧化性溶液中进行氧化，或者，向边缘剥离后的硅片的正面喷淋氧化性溶液进行氧化。
8.根据权利要求7所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述氧化性溶液为NH4OH和H2O2的混合溶液、H2SO4和H2O2的混合溶液、HCl和H2O2的混合溶液、H2O2的水溶液、O3的水溶液中的任一者。
9.根据权利要求7所述的硅片边缘剥离方法，其特征在于，所述对边缘剥离后的硅片的正面进行氧化处理之后，还包括：
对氧化后的硅片进行干燥处理。
10.一种硅片，其特征在于，所述硅片由权利要求1-9中任一项所述的硅片边缘剥离方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
