[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 202010344100.1 | 申请日: | 2020-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN111509014B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
| 发明(设计)人: | 王玲;林奕呈;闫光 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/144;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 王云红;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括多个显示单元,所述显示单元包括多个子像素,所述显示单元内设置有发光检测区域,所述显示基板包括:
基底;
感测晶体管,设置在所述基底的一侧,位于所述发光检测区域;
第二金属层,设置在所述基底朝向所述感测晶体管的一侧,所述第二金属层包括彼此间隔的感测扫描线和第二电源线,所述感测扫描线和第二电源线在所述发光检测区域均沿第一方向延伸,所述感测晶体管的感测栅电极与所述感测扫描线电连接;
第一平坦层,设置在所述感测晶体管和所述第二金属层背离所述基底的一侧,所述第一平坦层位于所述发光检测区域,所述第一平坦层在所述基底上的正投影包含所述感测晶体管;
钝化保护层,设置在所述第一平坦层背离所述基底的一侧,所述第一平坦层在所述基底上的正投影位于所述钝化保护层在所述基底上的正投影范围内;
PIN型光电二极管,设置在所述钝化保护层背离所述基底的一侧;
所述显示基板还包括设置在所述PIN型光电二极管背离所述基底一侧的透明导电层,所述透明导电层包括第三电极,所述第三电极位于子像素区域;所述显示基板还包括位于发光检测区域的感测电容,所述显示基板还包括与所述感测晶体管的感测漏电极或感测源电极位于同一层的第四极板和第五极板,所述第四极板和所述第五极板在第一方向上分别位于所述感测晶体管的两侧,所述第四极板和所述第五极板均与所述第二电源线电连接,所述第四极板在所述基底上的正投影与所述第三电极在所述基底上的正投影存在交叠区域,以形成第一感测电容,所述第五极板在所述基底上的正投影与所述第三电极在所述基底上的正投影存在交叠区域,以形成第二感测电容,所述感测电容包括第一感测电容和第二感测电容。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述钝化保护层在垂直于所述基底方向的厚度为800埃至1200埃。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述PIN型光电二极管包括沿远离所述钝化保护层的方向依次层叠设置的第一电极、PIN结和第二电极,所述第一电极在所述基底上的正投影位于所述第一平坦层在所述基底上的正投影范围内。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极在所述基底上的正投影边界与所述第一平坦层在所述基底上的正投影边界之间的距离为d1,2μm≤d1≤4μm。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述PIN结在所述基底上的正投影位于所述第一电极在所述基底上的正投影范围内,所述PIN结在所述基底上的正投影边界与所述第一电极在所述基底上的正投影边界之间的距离为d2,1μm≤d2≤3μm。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述透明导电层还包括与所述第三电极彼此断开的导电连接线,所述显示基板还包括与所述第一电极位于同一层的第四连接线,所述第四连接线从所述发光检测区域内延伸至所述发光检测区域之外,所述导电连接线位于所述发光检测区域之内的部分与所述第二电极电连接,所述导电连接线位于所述发光检测区域之外的部分与所述第四连接线电连接,所述第四连接线与所述第二电源线电连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述透明导电层背离所述基底一侧的有机发光层以及设置在所述有机发光层背离所述基底一侧的第四电极,所述第三电极、有机发光层和所述第四电极构成发光元件,所述发光元件位于子像素区域内,所述PIN型光电二极管在所述基底上的正投影与显示单元中每个子像素的发光元件在所述基底上的正投影均存在交叠区域。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示单元包括八个子像素,八个子像素呈两行四列阵列式排布,每个子像素的驱动电路位于子像素区域远离另一行子像素的一侧,所述发光检测区域在第二方向上位于显示单元的中部,所述第二方向为与所述第一方向相垂直的方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





