[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管

权利要求书

1.一种带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：PN结，形成所述PN结的第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电区域包括衬底和外延层，所述第二导电区域形成于所述外延层背离所述衬底一侧的表面，其中，

所述第二导电区域内包括重复单元和设置于部分所述重复单元内的等离子体扩散通道，多条所述等离子体扩散通道形成等离子体扩散层；

所述重复单元包括第一元胞和第二元胞；

所述第一元胞包括第一区域和第二区域，所述第一区域为六边形，所述第二区域为环六边形，且所述第二区域环绕所述第一区域设置；

所述第二元胞为不带环的正六边形元胞,且包括第三区域，所述第三区域为六边形；且所述第三区域与所述第二区域连接；

设置有所述等离子体扩散层的所述部分重复单元是扩散单元，在所述扩散单元中，通过所述等离子体扩散通道连接所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域，以使等离子体通过所述通道扩散；所述重复单元呈六边形，多个所述第二元胞分别设置于所述六边形的中心和顶点；

多个所述第一元胞填充设置于所述六边形中，且相邻两个所述第二元胞间设置有n个所述第一元胞，这里的n可以为1-1000000。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，在所述扩散单元中，所述等离子体扩散通道的一端设置于一个所述第一元胞的第一区域，所述等离子体扩散通道的另一端设置于另一个所述第一元胞的第一区域，中间穿过多个所述第一元胞。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，在所述扩散单元中，所述等离子体扩散通道的一端设置于一个所述第二元胞上，所述等离子体扩散通道的另一端设置于另一个所述第二元胞上，且中间穿过多个所述第一元胞。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，在所述扩散单元中，所述等离子体扩散通道的一端设置于第一元胞的第一区域，所述等离子体扩散通道的另一端设置于第二元胞的第三区域，且中间穿过多个所述第一元胞。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述扩散单元的排布方式包括：第一线性排布区域，在所述第一线性排布区域中，

多个所述扩散单元中的两两扩散单元通过相邻边进行连接，形成一条或多条直线结构的等离子体扩散层；其中，所述相邻边由扩散单元的最外围等离子体扩散通道构成。

6.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述扩散单元的排布方式包括：第二线性排布区域，其中，

所述第二线性排布区域与所述第一线性排布区域呈0度到90度的夹角。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述扩散单元的排布方式包括：第三线性排布区域，在所述第三线性排布区域中，

多个所述扩散单元中的两两扩散单元通过相邻顶点进行连接，形成一条或多条直线结构的等离子体扩散层；其中，所述相邻顶点由扩散单元的最外围等离子体扩散通道相交形成。

8.根据权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述扩散单元的排布方式包括：第四线性排布区域，其中，

所述第四线性排布区域与所述第三线性排布区域呈0度到90度的夹角。

9.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述扩散单元的排布方式包括：环状排布区域，在所述环状排布区域中，

以一个所述扩散单元为中心，间隔n层重复单元环绕设置若干所述扩散单元，这里的n可以为1-1000000。

10.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述扩散单元的排布方式包括：密铺排布区域，在所述密铺排布区域中，多个所述扩散单元通过相邻边进行连接；其中，所述相邻边由扩散单元的最外围等离子体扩散通道构成。