[发明专利]一种半导体结构

说明书

一种半导体结构，包括第一金属层，所述第一金属层内图案化纵向依次排列的第一源漏极区、第一栅极区、第二栅极区、和第二源漏极区，图案化的栅极与源漏极处于同一水平位置，还包括第一绝缘层，第一绝缘层包覆在图案化后的栅极层与源漏极层之上，第一绝缘层还包括通孔，第一绝缘层的通孔包括第一源漏极区上的第一通孔，第二栅极区上的第二通孔，以及第二源漏极区上的第三通孔和第四通孔。上述技术方案通过将栅极金属与源漏极金属合并在同一层，通过在第一金属层中进行图案化布线，以及其上的第二金属层通过通孔、过孔连接第一金属层的栅极和源漏极。从而达到制程中减少光罩数量的效果。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的设计方案，尤其涉及一种能够整合栅极层和源漏极层从而节省光罩流程的发光半导体结构及制作方法。

背景技术

目前用于显示面板的薄膜晶体管(TFT)基本的结构通常包含第一金属层栅极GE，第一绝缘层GI，半导体主动层SE，第二金属层源漏极SD，第二绝缘层PV，以及像素电极PE，一共6道光罩。为了提高器件稳定性，设计者还会在SE图案化之后额外增加一个蚀刻阻挡层ESL，保护其不会在SD制程受到额外的损伤。

在此基础上，TFT衍生出了许多改进的方向，有增加额外膜层以得到其他功能或提高器件性能。也有减少光罩数以降低生产成本和缩短工期，最常见的是将具有ESL结构的该膜层拿掉使其成为BCE结构以降低成本，但性能通常会有所下降，亦或采用同光罩或自对准以减少光罩数，但膜层数通常没有改变。

发明内容

为此，需要提供一种新的TFT制程设计，解决现有技术工艺复杂的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种半导体结构，包括第一金属层，所述第一金属层内图案化纵向依次排列的第一源漏极区、第一栅极区、第二栅极区、和第二源漏极区，图案化的栅极与源漏极处于同一水平位置，还包括第一绝缘层，第一绝缘层包覆在图案化后的栅极层与源漏极层之上，第一绝缘层还包括通孔，第一绝缘层的通孔包括第一源漏极区上的第一通孔，第二栅极区上的第二通孔，以及第二源漏极区上的第三通孔和第四通孔；

第一绝缘层上还包括半导体层，包括第一栅极区上的第一半导体区和第二栅极区上的第二半导体区，半导体层上方还设置有第二绝缘层，第二绝缘层还包括过孔，第二绝缘层上的过孔包括连通第一源漏极区和第一半导体区的第一过孔、连通第一半导体区和第一栅极区的第二过孔，第二半导体区上的第三过孔、第四过孔；以及第二源漏极区上的第五、第六过孔，其中第一过孔覆盖第一通孔，第二过孔覆盖第二通孔，第五过孔覆盖第三通孔，第六过孔覆盖第四通孔，均使得第一层金属和半导体层露出；

第二绝缘层的上方还设置有第二金属层，所述第二金属层包括一部分膜层覆盖第一源漏极区、第二源漏极区和第二半导体区上的第三过孔；还有一部分膜层包括覆盖第一过孔的一块区域以及覆盖第二过孔的另一块区域；又有膜层覆盖第二栅极区和第六过孔；再有部分膜层覆盖第四过孔和第五过孔。

进一步地，所述第二金属层为金属及ITO复合膜层。

进一步地，所述第一绝缘层镀膜在第一金属层上。

区别于现有技术，上述技术方案通过将栅极金属与源漏极金属合并在同一层，通过在第一金属层中进行图案化布线，以及其上的第二金属层通过通孔、过孔连接第一金属层的栅极和源漏极。从而达到制程中减少光罩数量的效果。最终的目的是节省成本，降低经济负担。

附图说明

图1为具体实施方式所述的方案一第一金属层示意图；

图2为具体实施方式所述的方案一第一绝缘层GI示意图；

图3为具体实施方式所述的方案一半导体层SE示意图；

图4为具体实施方式所述的方案一第二绝缘层PV示意图；

图5为具体实施方式所述的方案一第二金属层示意图；