[发明专利]一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺在审
| 申请号： | 202010300797.2 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446165A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/324;H01L21/02;C25D7/12;C23C18/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 工艺 以及 双面 电镀 | ||
1.一种晶圆热处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；
研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；
蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；
对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；
通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；
进行热处理工艺，形成合金的欧姆接触电阻。
2.根据权利要求1所述的晶圆热处理工艺，其特征在于，经过蚀刻后，所述晶圆的形状为阶梯形或斜坡形。
3.根据权利要求1所述的晶圆热处理工艺，其特征在于，经过蚀刻后，所述晶圆最薄处厚度为20～100微米。
4.根据权利要求1所述的晶圆热处理工艺，其特征在于，所述热处理工艺中，将所述晶圆放入炉管设备中，通入氮气后，进行加热。
5.根据权利要求1所述的晶圆热处理工艺，其特征在于，所述玻璃载板厚度为400～700微米。
6.根据权利要求1所述的晶圆热处理工艺，其特征在于，所述晶圆经过研磨后，最厚处厚度为200～400微米。
7.一种晶圆双面电镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：
将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；
研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；
蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；
对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；
通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；
进行双面电镀或化学镀工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
