[发明专利]具有测量元件的承接体和承接体的制造方法

权利要求书

1.一种用于承接处于压力下的流体或用于承接力的承接体(120)，所述承接体具有

膜片(121)和

布置在所述膜片(121)上的对应变敏感的至少一个测量元件(130)，所述测量元件包括：

半导体基体(131)和

压阻的至少一个电阻轨道(132)，其中所述电阻轨道(132)借助于掺杂构造在所述半导体基体(131)中，

其特征在于，

所述测量元件(130)借助无铅的玻璃焊料(150)与所述膜片(121)连接并且

所述测量元件(130)布置成至少区段式地沉入到所述玻璃焊料(150)中。

2.根据权利要求1所述的承接体(120)，

其特征在于，

所述半导体基体(131)具有上侧(134)和下侧(135)，其中

所述上侧(134)的表面在俯视图中从边缘侧完全地突出于所述下侧(135)的表面和/或

所述下侧(135)具有比所述上侧(134)更小的面。

3.根据权利要求2所述的承接体(120)，

其特征在于，

所述半导体基体(131)具有0.005mm至0.1mm的厚度和/或0.1mm至2.8mm的宽度和/或0.2mm至3.8mm的长度，其中所述上侧(134)和所述下侧(135)尤其至少基本上处于彼此平行，其中所述上侧(134)和所述下侧(135)尤其具有至少基本上矩形的形状。

4.根据权利要求2或3所述的承接体(120)，

其特征在于，

所述半导体基体(131)的侧面(136)构造成在从所述上侧(134)向所述下侧(135)的方向至少区段式连续地逐渐变窄，尤其构造成从所述上侧(134)向所述下侧(135)连续贯通地逐渐变窄，并且

侧面横截面与上侧(134)的面法线(138)的平均角度(137)分别计为大于0°，尤其计为至少5°，尤其计为至少15°，并且

所述侧面(136)尤其具有平的表面，从而使所述半导体基体(131)至少基本上具有平截头棱锥体的形状，其中所述上侧(134)构成平截头棱锥体的基面并且所述下侧(135)构成平截头棱锥体的遮盖面，或者

所述半导体基体(131)的所述侧面(136)至少区段式地具有凹形的表面或所述半导体基体(131)的所述侧面(136)至少区段式地具有波形的表面。

5.根据前述权利要求中任一项所述的承接体(120)，

其特征在于，

所述电阻轨道(132)的长度与所述电阻轨道的平均的宽度之间的比例符合至少2：1，尤其至少5：1，尤其至少10：1，尤其至少20：1，和/或

所述电阻轨道(132)具有条带形状或曲折形状和/或

在所述半导体基体(131)中构造有至少两个所述电阻轨道(132)，其中所述电阻轨道(132)尤其彼此并列地布置，

其中每个所述电阻轨道(132)在所述电阻轨道的端部上包括接触面(133)，并且其中，不同的所述电阻轨道(132)的所述接触面(133)彼此是电绝缘的。

6.根据前述权利要求中任一项所述的承接体(120)，

其特征在于，

所述半导体基体(131)包括硅晶体并且

要么所述至少一个电阻轨道(132)通过在所述半导体基体(131)中的结构化的p掺杂而构造并且所述电阻轨道(132)至少基本上位于所述硅晶体的{110}晶面中并且至少基本上沿着110晶体方向或111晶体方向延伸，

要么所述至少一个电阻轨道(132)通过在所述半导体基体(131)中的结构化的n掺杂而构造并且所述电阻轨道(132)至少基本上位于所述硅晶体的{100}晶面或{110}晶面中并且至少基本上沿着100晶体方向延伸。