[发明专利]一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010290015.1 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111463265A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 门阔;魏峰;沈宇鑫;连紫薇 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/792;H01L21/34;H01L21/443;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 电荷 俘获 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于二维材料的电荷俘获存储器，其特征在于，所述存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底(1)、隧穿层(2)、电荷俘获层(3)、阻挡层(4)、沟道层(5)、控制电极(6)；所述隧穿层(2)和阻挡层(4)均为氧化铝材料，所述电荷俘获层(3)为掺杂的氧化铪薄膜，所述沟道层(5)为二硫化钼材料。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电荷俘获层(3)为掺杂的氧化铪薄膜，掺杂的元素为锆、钛、镝、钆、镱中的一种或几种混合物。
3.一种如权利要求1-2任一所述的电荷俘获存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤(一)：在硅衬底(1)顶部生长一层氧化铝材料作为隧穿层(2)；
步骤(二)：在隧穿层(2)顶部沉积一层掺杂的氧化铪薄膜作为电荷俘获层(3)；
步骤(三)：在电荷俘获层(3)上生长氧化铝材料作为阻挡层(4)；
步骤(四)：在阻挡层(4)顶部覆盖二硫化钼材料作为沟道层(5)；
步骤(五)：在沟道层(5)上形成控制电极(6)。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(一)中生长氧化铝材料作为隧穿层(2)的方法为原子层沉积；所述隧穿层(2)的厚度为3nm-6nm。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(二)中沉积一层掺杂的氧化铪薄膜作为电荷俘获层(3)的方法为原子层沉积，所述电荷俘获层(3)的厚度为15nm-20nm。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(二)中掺杂的元素为锆、钛、镝、钆、镱中的一种或几种混合物。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(三)中生长氧化铝材料作为阻挡层(4)的制备方法为原子层沉积，所述阻挡层(4)厚度为8nm-12nm。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(四)中覆盖二硫化钼材料作为沟道层(5)的方法为微机械剥离法或CVD，所述沟道层(5)的厚度为0.5nm至2nm。
9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(五)中在沟道层(5)上形成控制电极(6)的制备方法为磁控溅射技术。
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