[发明专利]一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路在审
| 申请号： | 202010280630.4 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111463744A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 许哲;张健;李爱玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H02H3/027 | 分类号： | H02H3/027;H02H3/24;H02H3/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 唐沛 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具备 迟滞 效应 恢复 电压 保护 电路 | ||
1.一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路，其特征在于：包括限流电阻(10)、稳压器(11)、反馈电阻网络(12)、第一增强型PMOS管(13)、第二增强型PMOS管(14)、迟滞补偿电阻(15)、下拉电阻(16)以及增强型NMOS管(17)；
限流电阻(10)一端接外部直流电源VCC，另一端接入稳压器(11)的CATHODE端，稳压器(11)REF端接反馈电阻网络(12)的中端，反馈电阻网络(12)一端接第一增强型PMOS管(13)的栅极，另一端与电源地GND连接；
稳压器(11)的CATHODE端连接第一增强型PMOS管(13)的栅极；稳压器(11)REF端连接第二增强型PMOS管(14)的源极，同时第二增强型PMOS管(14)的漏极通过迟滞补偿电阻(15)与电源地GND连接；
第一增强型PMOS管(13)的源极连接外部直流电源VCC，漏极连接第二增强型PMOS管(14)栅极和增强型NMOS管(17)栅极，同时通过下拉电阻(16)连接至电源地GND；
增强型NMOS管(17)漏极连接负载网络(18)的地回线连接，其源极与电源地GND连接。
2.根据权利要求1所述的具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路，其特征在于：反馈电阻网络(12)包括上电阻R1以及下电阻R2串联构成。
3.根据权利要求1所述的具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路，其特征在于：所述第一增强型PMOS管(13)、第二增强型PMOS管(14)以及增强型NMOS管(17)均可采用耗尽型MOS管或结型场效应管或三极管或绝缘栅双极晶体管替换。
4.根据权利要求1所述的具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路，其特征在于：稳压器(11)为可调稳压器。
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