[发明专利]高频放大器

说明书

本发明涉及高频放大器。一种高频放大器(1)，其包括：输入端子P_IN；输出端子P_OUT；晶体管(5)，其被配置为放大施加到输入端子P_IN的RF信号；匹配电路(9)和反射电路(7)，该匹配电路(9)用于RF信号的基波，该反射电路(7)用于相对于基波的谐波，匹配电路(9)和反射电路(7)被串联连接在晶体管(5)和输出端子P_OUT之间；提取电路(13)，其被配置为提取出现在输出端子P_OUT处的谐波；处理电路(15、17)，其被配置为调整由提取电路(13)提取的谐波的相位和强度；以及多路复用电路(19)，其被配置为将由处理电路(15、17)处理的谐波多路复用到由反射电路(7)反射的谐波并将被多路复用的谐波提供给晶体管(5)。

技术领域

本公开涉及放大高频信号的高频放大器。

背景技术

放大诸如微波的高频波的常规高频放大器已经被用于各种用途，诸如无线电通信和雷达。这种高频放大器的示例包括能够高效操作以抑制功率损耗的F类放大器和逆F类放大器。例如，在日本未审查专利公开No.2005-204208中公开的放大器包括产生相对于要放大的基波信号的奇次谐波信号的奇次谐波信号产生电路，以及将奇次谐波信号多路复用到基波信号的矩形波信号产生电路。此外，在WO2017/122271A中公开的放大器包括将由第一晶体管放大的RF信号中包含的谐波供应至第二晶体管的谐波供应电路，以及将RF信号中包含的基波供应至第二晶体管的基波供应电路。

然而，上述在日本未审查专利公开No.2005-204208中公开的结构需要产生导致功耗增加的谐波信号的信号源。此外，在上述WO2017/122271A中公开的结构中，由于晶体管输出侧的寄生分量导致谐波向本征晶体管的端面衰减，并且谐波在本征晶体管的端面上的阻抗未能被设置为真正的最佳阻抗，这使得仅通过使用无源元件进行匹配就不可能充分提高整个放大器的功率效率。本公开提供了能够充分提高功率效率的高频放大器。

发明内容

根据本公开的一个方面的高频放大器包括：输入端子；输出端子；晶体管，该晶体管被配置为放大施加到输入端子的输入高频信号；匹配电路和反射电路，匹配电路用于输入高频信号的基波，反射电路用于相对于基波的谐波，匹配电路和反射电路串联连接在晶体管与输出端子之间；提取电路，该提取电路被配置为提取出现在输出端子处的谐波；处理电路，该处理电路被配置为调整由提取电路提取的谐波的相位和强度；以及多路复用电路，该多路复用电路被配置为将由处理电路处理的谐波多路复用到由反射电路反射的谐波并将被多路复用的谐波提供给晶体管。

附图说明

图1是示出根据实施例的高频放大器的示意性结构的框图；

图2是示出图1所示的高频放大器的结构的电路图；

图3A是示出当高频放大器未多路复用二次谐波时的输出功率和对于输入功率的功率附加效率(PAE)的图；和

图3B是示出当高频放大器多路复用二次谐波时的输出功率和对于输入功率的功率附加效率(PAE)的图。

具体实施方式

下面将参考附图给出本公开的实施例的描述。注意，在附图的描述中，相同的组件由相同的参考数字表示，并且将省略多余的描述。

[高频放大器的结构]