[发明专利]一种微腔结构顶发射器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010235695.7 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111403631A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 刘琳琳;梁依倩 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 朱玲艳
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 结构 发射 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种微腔结构顶发射器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

以阳极基板为工作电极,在第一电解液中进行第一电化学聚合,得到沉积有空穴传输层的阳极基板;所述第一电解液中含有空穴传输电活性单体和支持电解质;

以所述沉积有空穴传输层的阳极基板为工作电极,在第二电解液中进行第二电化学聚合,在空穴传输层表面形成白色发光层;所述第二电解液中含有白色发光电活性单体和支持电解质;

在所述白色发光层表面依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层,得到微腔结构顶发射器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述阳极基板包括依次层叠的金属反射层和ITO层;所述金属反射层的厚度为50~300nm,所述ITO层的厚度为10~200nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一电化学聚合的扫描电压为-3~3V,扫描圈数为5~500圈,扫描速度为10~1000mV/s,所述第一电解液中支持电解质的浓度为10-3~102mol/L;所述空穴传输层的厚度为20~100nm。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法,其特征在于,所述空穴传输电活性单体包括4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、聚乙烯咔唑、乙烯基咔唑、三苯胺、3,4-乙烯二氧噻吩或上述分子衍生物中的一种或几种;所述空穴传输电活性单体在第一电解液中的浓度为10-6~103mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二电化学聚合的扫描电压为-3~3V,扫描圈数为5~500圈,扫描速度为10~1000mV/s,所述第二电解液中支持电解质的浓度为10-3~102mol/L;所述白色发光层的厚度为40~100nm。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法,其特征在于,所述白色发光电活性单体包括红光前体分子、绿光前体分子和蓝光前体分子,所述红光前体分子、绿光前体分子和蓝光前体分子在第二电解液中的浓度独立地为10-6~103mol/L。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一电解液和第二电解液中,所述支持电解质均由阳离子和阴离子组成,所述阴离子包括高氯酸根离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子、六氟砷酸根离子、硝酸根离子和磷酸根离子中的至少一种;所述阳离子包括钠离子、钾离子、锂离子、四甲基铵离子、四乙基铵离子和四正丁基铵离子中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一电化学聚合和第二电化学聚合均在三电极体系电解池中进行,所述三电极体系电解池所用参比电极为Ag/Ag+、Ag/AgCl、饱和甘汞电极或氢电极,对电极为Ti板或Pt板。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电子传输层的厚度为10~100nm,所述电子注入层的厚度为0.1~5nm,所述阴极层的厚度为10~50nm。

10.权利要求1~9任一项所述制备方法制备得到的微腔结构顶发射器件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010235695.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top