[发明专利]一种人工种植体

权利要求书

1.一种人工种植体，其特征在于：包括基体和涂层，所述基体为氧化锆陶瓷，所述涂层为表面形成纳米孔结构的钽涂层。

2.根据权利要求1中所述的一种人工种植体，其特征在于：所述钽涂层的纳米孔径在15～50nm。

3.根据权利要求1中所述的一种人工种植体，其特征在于：所述钽涂层的厚度在0.5～2μm。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：包括如下制备步骤：

步骤a：将钇稳定氧化锆陶瓷在1000～2000℃下烧结1～5h，得到氧化锆结晶体；步骤b：洗涤氧化锆结晶体，干燥；

步骤c：将钽靶材安装在磁控溅射设备的溅射靶上，利用磁控溅射技术在氧化锆表面溅射钽涂层，磁控溅射参数为：溅射功率：20～100w；溅射速率：0.8～1.2nm/s；基准气压：1×10^-4～5×10^-4Pa；工作气压：0.4Pa～0.6Pa；溅射时间：0.5～3h：温度：25～30℃；

步骤d：利用电化学阳极氧化技术，将沉积钽基层的氧化锆作为阳极，铂片作为阴极，将阴极、阳极同时浸泡在酸性电解液中，在恒压下电解2～8min，在钽基层表面进一步形成钽纳米孔结构，电解电压为12～18v；

步骤e：洗涤钽纳米孔涂层表面的污物。

5.根据权利要求4所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：在步骤d中，所述酸性电解液选为浓硫酸和氢氟酸的混合液，该混合液由90～98wt％的浓硫酸溶液与5～40wt％的氢氟酸按体积比(90～99)：(1～10)混合得到。

6.根据权利要求5中所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：所述氢氟酸的浓度为5～10wt％。

7.根据权利要求4或5或6所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：在步骤d中，所述酸性电解液的温度控制在0℃，所述电解时间为5min。

8.根据权利要求4所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：在步骤c中，所述溅射功率选为100～150w，所述溅射时间选为2～3h。

9.根据权利要求4所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：在步骤b中，所述洗涤方法为将氧化锆结晶体依次在丙酮、乙醇以及去离子水超声清洗10～20min，再干燥。

10.根据权利要求4所述的一种人工种植体的制备方法，其特征在于：在步骤e中，所述洗涤方法为将沉积钽纳米孔涂层的氧化锆依次在乙醇、去离子水中超声清洗10～20min，再干燥。