[发明专利]SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法

权利要求书

1.一种SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取SiC MOSFET的静态特性、瞬态热阻抗和短路波形；

根据所述瞬态热阻抗建立热模型，并且由所述热模型和短路波形得到所述SiC MOSFET短路时的结温特性；

根据短路持续时间逐渐增加时的漏源电流波形得到泄漏电流波形和沟道电流波形；

根据所述SiC MOSFET的静态特性和结温特性建立沟道电流模型I_ch，所述沟道电流模型I_ch的方程为：

其中，

p₁-p₃、q₁-q₃为静态特性参数，f(T_j)是与所述结温特性相关的函数，T_j为结温，s₁-s₅是与结温特性有关的待拟合参数，V_gs为栅源电压，V_ds为漏源电压；

根据所述SiC MOSFET的结温特性建立漏源极泄漏电流模型I_lk；以及

根据所述沟道电流模型和所述泄漏电流模型得到SiC MOSFET短路仿真模型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏源极泄漏电流模型I_lk的方程为：

其中，k₁、k₂和k₃是与所述结温特性相关的待拟合参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

提取模型参数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述提取模型参数，包括：

采用数据提取软件将SiC MOSFET数据手册中的瞬态热阻抗曲线、输出特性曲线和转移特性曲线转换为数据；

获取短路持续时间逐渐增加时的栅源电压、漏源电压、漏源电流波形的数据；

根据瞬态热阻抗方程和所述瞬态热阻抗曲线数据在曲线拟合软件中进行拟合得到热模型参数；

根据所述热模型和短路波形得到对应的结温波形；

根据短路持续时间逐渐增加时的漏源电流波形得到泄漏电流波形和沟道电流波形；

根据所述沟道电流模型方程和所述泄漏电流模型方程和相应的数据进行拟合，得到拟合结果；

根据所述拟合结果对所述沟道电流模型方程和所述泄漏电流模型方程进行调整，以得到所述模型参数。