[发明专利]一种晶圆套刻量测方法、装置、存储介质及电子设备在审

专利信息
申请号: 202010195923.2 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN113496906A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 张海;杨晓松;吴怡旻 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 代理人: 刘锋
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶圆套刻量测 方法 装置 存储 介质 电子设备
【权利要求书】:

1.一种晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述方法包括:

获取晶圆当前层在第一状态的各目标的第一数据;

响应于存在所述第一数据异常的异常目标,获取所述晶圆当前层在第二状态的异常目标的第二数据;以及

根据所述第一数据和所述第二数据确定量测结果;

其中,所述第一数据和所述第二数据分别用于表征不同状态下所述晶圆当前层的图案信息;

所述目标为用于形成一个芯片单元的区域。

2.根据权利要求1所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述获取所述晶圆当前层在第二状态的异常目标的第二数据包括:

获取所述异常目标的位置坐标;

将所述晶圆旋转预定角度;以及

根据所述异常目标的位置坐标获取异常目标的第二数据。

3.根据权利要求2所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述将所述晶圆旋转预定角度具体为绕所述晶圆的圆心旋转180度。

4.根据权利要求1所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述第一数据和所述第二数据为所述晶圆的当前层的图案;或

所述第一数据和所述第二数据为与所述晶圆的当前层的图案具有对应关系的光强信息。

5.根据权利要求1所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,在所述获取晶圆当前层在第一状态的晶圆上的各目标的第一数据后,在所述获取晶圆当前层在第二状态的异常目标的第二数据前,所方法还包括:

根据拟合模型和第一数据确定是否存在异常目标,所述拟合模型根据前层图案和当前层图案预先确定。

6.根据权利要求5所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述根据拟合模型和第一数据确定是否存在异常目标具体为:

响应于所述第一数据和所述拟合模型的误差大于预定值,确定所述目标为异常目标。

7.根据权利要求6所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述第一数据为所述晶圆的当前层的图案具有对应关系的光强信息;所述第一数据和所述拟合模型的误差大于预定值具体为:

所述第一数据中的坐标的光强与所述拟合模型对应的坐标的光强的差值大于第一阈值。

8.根据权利要求6所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述第一数据为所述晶圆的当前层的图案;所述第一数据和所述拟合模型的误差大于预定值具体为:

所述第一数据中的当前层的图案的尺寸与所述拟合模型的图案的尺寸的差值大于第二阈值。

9.根据权利要求1所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述第二状态下的晶圆相对于所述第一状态下的晶圆绕所述晶圆的圆心旋转预定角度。

10.根据权利要求1所述的晶圆套刻量测方法,其特征在于,所述根据所述第一数据和所述第二数据确定量测结果具体为:

确定第一数据和第二数据均异常的目标的量测结果为不合格。

11.一种晶圆套刻量测装置,其特征在于,所述装置包括:

第一数据获取单元,用于获取晶圆当前层在第一状态的各目标的第一数据;

第二数据获取单元,用于响应于存在所述第一数据异常的异常目标,获取晶圆当前层在第二状态的异常目标的第二数据;以及

量测结果确定单元,用于根据所述第一数据和所述第二数据确定量测结果;

其中,所述第一数据和所述第二数据分别用于表征不同状态下所述晶圆当前层的图案信息;

所述目标为用于形成一个芯片单元的区域。

12.一种计算机可读存储介质,其上存储计算机程序指令,其特征在于,所述计算机程序指令在被处理器执行时实现如权利要求1-10中任一项所述的方法。

13.一种电子设备,包括存储器和处理器,其特征在于,所述存储器用于存储一条或多条计算机程序指令,其中,所述一条或多条计算机程序指令被所述处理器执行如下步骤:

获取晶圆当前层在第一状态的各目标的第一数据;

响应于存在所述第一数据异常的异常目标,获取晶圆当前层在第二状态的异常目标的第二数据;以及

根据所述第一数据和所述第二数据确定量测结果;

其中,所述第一数据和所述第二数据分别用于表征不同状态下所述晶圆当前层的图案信息;

所述目标为用于形成一个芯片单元的区域。

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