[发明专利]功率器件套刻偏差电性测量结构及方法

权利要求书

1.一种功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，包括：

具有第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底中的第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅相互平行；

具有第二导电类型的阱区，其形成于所述衬底位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的表面区域；

具有第一导电类型的源区，其形成于所述阱区的表面区域；

形成于所述衬底上的接触结构，其连接所述源区；

所述接触结构在所述衬底表面的投影位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅在所述衬底表面的投影之间；所述接触结构与所述第一沟槽栅在所述衬底表面的投影具有第一间距；所述接触结构与所述第二沟槽栅在所述衬底表面的投影具有不同于所述第一间距的第二间距。

2.根据权利要求1所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，所述接触结构为沟槽型接触结构，所述沟槽型接触结构的延伸方向与所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅的延伸方向相同。

3.根据权利要求2所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，所述第一沟槽栅、所述第二沟槽栅和所述接触结构为多个。

4.根据权利要求3所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，多个所述第一沟槽栅、所述第二沟槽栅和所述接触结构具有相同的延伸方向；多个所述第一沟槽栅与多个所述第二沟槽栅交替间隔排列；所述接触结构在所述衬底表面的投影位于相邻的所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅在所述衬底表面的投影之间。

5.根据权利要求4所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，多个所述第一沟槽栅在其相同延伸方向的一侧连接于第一沟槽连接结构；多个所述第二沟槽栅在远离所述第一沟槽连接结构的延伸方向的一侧连接于第二沟槽连接结构。

6.根据权利要求1所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，还包括：

电性连接所述第一沟槽栅的第一测试电极；

电性连接所述第二沟槽栅的第二测试电极；

电性连接所述接触结构的第三测试电极；

电性连接所述衬底的第四测试电极。

7.根据权利要求1所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，还包括形成于所述衬底上的层间介质层；所述接触结构形成于所述层间介质层中。

8.根据权利要求1所述的功率器件套刻偏差电性测量结构，其特征在于，所述功率器件套刻偏差电性测量结构为多个，且多个所述功率器件套刻偏差电性测量结构设置于同一晶圆上。

9.一种功率器件套刻偏差电性测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供如权利要求1至8中任一项所述的功率器件套刻偏差电性测量结构；

由所述源区、所述阱区、所述第一沟槽栅和所述衬底构成第一MOS器件；由所述源区、所述阱区、所述第二沟槽栅和所述衬底构成第二MOS器件；分别测量所述第一MOS器件和所述第二MOS器件的阈值电压；

分别计算所述第一MOS器件和所述第二MOS器件的阈值电压与标准阈值电压的差值，并根据所述差值的大小表征所述接触结构的套刻偏差。

10.根据权利要求9述的功率器件套刻偏差电性测量方法，其特征在于，设置多个所述功率器件套刻偏差电性测量结构，并设置不同的光刻套刻对准值，根据不同的所述光刻套刻对准值下所得测量得到的阈值电压与标准阈值电压的差值反推出标准阈值电压所对应的光刻套刻对准值。