[发明专利]半导体装置在审
| 申请号: | 202010185385.9 | 申请日: | 2020-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN111863817A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 张朝渊;陈瑞麟;林建隆;张峰铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/528 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
一静态随机存取存储器元件,包括一导通闸晶体管、一下拉晶体管以及一上拉晶体管;
上述导通闸晶体管的一第一栅极线以及上述下拉晶体管以及上述上拉晶体管的一第二栅极线,其中上述第一栅极线与上述第二栅极线是沿着一第一方向延伸;
上述导通闸晶体管、上述下拉晶体管及上述上拉晶体管的一共用源极/漏极区,夹设于上述第一栅极线与上述第二栅极线之间;
上述导通闸晶体管的另一源极/漏极区;
一第一接点与一第二接点,其中上述第一接点是从上述共用源极/漏极区延伸,且上述第二接点是从上述另一源极/漏极区延伸;以及
一第三接点,设置在上述第二接点之上,其中上述第三接点具有在上述第一方向上具有一第一宽度且在一第二方向上具有一第一长度的形状,其中上述第二方向是垂直于上述第一方向,且上述第一长度大于上述第一宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





