[发明专利]影像传感器及其制造方法

说明书

本发明提供一种影像传感器，包括影像传感芯片以及第一金属连线层。影像传感芯片具有包含感测面的上表面。第一金属连线层配置于上表面上，且用以使影像传感芯片电性连接至控制电路。第一金属连线层于感测面上方具有至少一开口，以形成滤光器。一种影像传感器的制造方法亦被提出。

技术领域

本发明涉及一种传感器及其制造方法，且特别是涉及一种影像传感器及其制造方法。

背景技术

滤波器为影像传感器普遍会使用的器件之一，例如将滤波器应用至影像传感芯片以滤除背景噪声光(例如红外光)。传统的光学滤波器通常都是以多层光学镀膜制作而成。然而，此制程(process)技术的成本高、制造时间较长，且需要特定设备才能完成。

由于智能型手机与行动装置的发展，使得影像传感器的使用需求大幅提升。一般而言，用以制作影像传感器芯片的半导体制程(semiconductor process)的产量远大于传统光学滤波器的产量。因此，在传统光学滤波器制造时间无法进一步缩短的情况下，滤波器的产能难以配合影像传感器芯片的产量。

发明内容

本发明是针对一种影像传感器及其制造方法，其可缩短制造时间，且成本较低。

本发明的一实施例的影像传感器包括影像传感芯片以及第一金属连线层。影像传感芯片具有包含感测面的上表面。第一金属连线层配置于上表面上，且用以使影像传感芯片电性连接至控制电路。第一金属连线层于感测面上方具有至少一开口，以形成滤光器。

本发明的一实施例的影像传感器的制造方法包括：利用半导体制程形成影像传感芯片；以及利用半导体制程在影像传感芯片的上表面上形成第一金属连线层，通过第一金属连线层使影像传感芯片电性连接至控制电路，其中，第一金属连线层于上表面所包含的感测面上方具有至少一开口，以形成滤光器。

基于上述，由于本发明实施例的影像传感器及其制造方法在影像传感芯片的感测面上直接形成第一金属连线层，因此，本发明实施例的影像传感器及其制造方法可缩短制造时间，成本较低，且有利于大量制造而较不受限于产能不足的问题。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是依据本发明实施例的一种影像传感器的剖面示意图。

图2是图1的滤波器的局部放大图。

图3是在光波长为500纳米(绿光)且入射角为0度时，滤波器的穿透率相对于开口宽度的曲线图。

图4是在光波长为700纳米(红光)且入射角为0度时，滤波器的穿透率相对于开口宽度的曲线图。

图5是第一金属连线层的开口宽度为0.3微米时，滤波器在700纳米的穿透率除以滤波器在500纳米的穿透率相对于入射角度的曲线图。

图6是依据本发明实施例的影像传感器的制造方法的流程图。

附图标号说明

10：影像传感芯片

11：上表面

12：感测面

20：滤波器

30：控制电路

40：透明填充物

100：金属连线层

101：第一金属连线层

102、103、104、105：第二金属连线层

A：区域

d1：宽度