[发明专利]影像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010185212.7 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN111246132A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 黄景煜;郑铭媛;王仲益;林郁轩 | 申请（专利权）人： | 神亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;G02B5/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 中国台湾新竹县竹北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种影像传感器，其特征在于，包括：
影像传感芯片，具有包含感测面的上表面；以及
第一金属连线层，配置于所述上表面上，且用以使所述影像传感芯片电性连接至控制电路，其中，所述第一金属连线层于所述感测面上方具有至少一开口，以形成滤光器。
2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，更包括至少一第二金属连线层，配置于所述上表面上，所述至少一第二金属连线层的至少其中一层设置于所述影像传感芯片与所述第一金属连线层之间。
3.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述至少一开口为狭缝。
4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述至少一开口为多个开口，且所述多个开口之间互相平行。
5.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述至少一开口为孔洞。
6.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述至少一开口为多个开口，且所述多个开口之间排成阵列。
7.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述滤波器为带通滤光器，所述至少一开口的宽度为小于等于欲保留波长的最大值的一半，且大于等于所述欲保留波长的最小值的一半。
8.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述滤波器为短通滤波器，所述至少一开口的宽度为小于等于欲保留波长的最大值的一半。
9.根据权利要求2所述的影像传感器，其特征在于，所述第一金属连线层与所述至少一第二金属连线层的材质相同。
10.根据权利要求2所述的影像传感器，其特征在于，所述至少一第二金属连线层设置于所述影像传感芯片与所述第一金属连线层之间。
11.一种影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
利用半导体制程形成影像传感芯片；以及
利用半导体制程在所述影像传感芯片的上表面上形成第一金属连线层，通过所述第一金属连线层使所述影像传感芯片电性连接至控制电路，
其中，所述第一金属连线层于所述上表面所包含的感测面上方具有至少一开口，以形成滤光器。
12.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，更包括利用半导体制程在所述影像传感芯片的所述上表面上形成至少一第二金属连线层，其中所述至少一第二金属连线层的至少其中一层设置于所述影像传感芯片与所述第一金属连线层之间。
13.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，所述至少一开口为狭缝。
14.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，所述至少一开口为多个开口，且所述多个开口之间互相平行。
15.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，所述至少一开口为孔洞。
16.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，所述至少一开口为多个开口，且所述多个开口之间排成阵列。
17.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，所述滤波器为带通滤波器，所述至少一开口的宽度为小于等于欲保留波长的最大值的一半，且大于等于所述欲保留波长的最小值的一半。
18.根据权利要求11所述的影像传感器的制造方法，其特征在于，所述滤波器为短通滤波器，所述至少一开口的宽度为小于等于欲保留波长的最大值的一半。
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