[发明专利]玻璃层叠衬底上的EMIB贴片在审

专利信息
申请号: 202010184297.7 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN111710656A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: R·赞克曼;R·梅 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 层叠 衬底 emib
【权利要求书】:

1.一种电子封装,包括:

增强衬底;

多个穿衬底过孔,所述多个穿衬底过孔穿过所述增强衬底;

电介质衬底,所述电介质衬底在所述增强衬底上方;

腔体,所述腔体进入到所述电介质衬底中;以及

部件,所述部件在所述腔体中。

2.根据权利要求1所述的电子封装,其中,所述部件是电桥。

3.根据权利要求2所述的电子封装,其中,所述多个穿衬底过孔具有第一间距,并且其中,所述电桥所具有的触点具有小于所述第一间距的第二间距。

4.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,还包括:

所述部件上方的电介质层,其中,所述电介质层填充所述腔体。

5.根据权利要求4所述的电子封装,其中,穿过所述电介质层形成多个过孔。

6.根据权利要求5所述的电子封装,其中,所述多个穿衬底过孔具有第一间距,并且其中,所述多个过孔具有第二间距。

7.根据权利要求6所述的电子封装,其中,所述第一间距等于所述第二间距。

8.根据权利要求7所述的电子封装,其中,每个所述穿衬底过孔与所述多个过孔中的一个对准。

9.根据权利要求6所述的电子封装,其中,所述第一间距不同于所述第二间距。

10.根据权利要求9所述的电子封装,其中,在所述电介质衬底中实现从所述第一间距到所述第二间距的间距转换。

11.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述增强衬底的杨氏模量大于所述电介质衬底的杨氏模量。

12.根据权利要求11所述的电子封装,其中,所述增强衬底的杨氏模量在60GPa和100GPa之间。

13.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述增强衬底的热膨胀系数(CTE)在2ppm和10ppm之间。

14.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,还包括:

第一管芯,所述第一管芯在所述电介质衬底上方;以及

第二管芯,所述第二管芯在所述电介质衬底上方,其中,所述第一管芯通过所述部件电耦合到所述第二管芯。

15.根据权利要求1、2或3所述的电子封装,其中,所述增强衬底的边缘从所述电介质衬底的边缘凹入。

16.一种电子系统,包括:

板;

中介层,所述中介层在所述板上方;以及

电子封装,所述电子封装在所述中介层上方,其中,所述电子封装包括:

增强衬底;

多个穿衬底过孔,所述多个穿衬底过孔穿过所述增强衬底;

电介质衬底,所述电介质衬底在所述增强衬底上方;

腔体,所述腔体进入到所述电介质衬底中;以及

部件,所述部件在所述腔体中。

17.根据权利要求16所述的电子系统,还包括:

第一管芯,所述第一管芯在所述电子封装上方;以及

第二管芯,所述第二管芯在所述电子封装上方。

18.根据权利要求17所述的电子系统,其中,所述第一管芯通过所述部件电耦合到所述第二管芯。

19.根据权利要求16、17或18所述的电子系统,其中,所述电子封装还包括:

所述电介质衬底上方的电介质层,其中,穿过所述电介质层形成过孔。

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