[发明专利]有机发光装置在审
| 申请号: | 202010171740.7 | 申请日: | 2020-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN111697155A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
| 发明(设计)人: | V·M·梅农;M·富塞拉;N·J·汤普森 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 高敏 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
1.一种装置,其包含:
包括发射层的一或多个有机层;
安置于所述一或多个有机层上的第一电极层;
形成为所述第一电极层的一部分的多个纳米结构;
衬底;和
第二电极层,
其中所述第二电极层安置于所述衬底上,所述一或多个有机层安置于所述第二电极层上,且包括所述多个纳米结构的所述第一电极层安置于所述一或多个有机层上且在所述发射层的预定阈值距离内。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极层的至少一部分为选自由以下组成的群组的至少一种元素:Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi和Ca。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述至少一种所选元素包括于以下中的至少一个中:所述第一电极层的至少一部分的合金、混合物和堆叠。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个纳米结构为贯穿所述第一电极层的厚度的纳米孔。
5.根据权利要求4所述的装置,其进一步包含:
介电层,
其中所述介电层安置于包括所述多个纳米结构的所述第一电极层上。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述介电层选自由以下组成的群组:有机物、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化镍、氧化锗、氟化锂、氟化镁和氧化钼。
7.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含:
介电层,
其中所述介电层安置于包括所述多个纳米结构的所述第一电极层上。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个纳米结构为纳米孔,其中所述纳米孔中的一或多个贯穿所述第一电极层的厚度,且其它纳米孔具有小于所述第一电极层的厚度的预定深度。
9.根据权利要求8所述的装置,其进一步包含:介电层,
其中所述介电层安置于包括所述多个纳米结构的所述第一电极层上。
10.根据权利要求1所述的装置,其中作为所述第一电极层的一部分的所述多个纳米结构的表面等离子体模耦合到优先与所述第一电极层平行定向的所述发射层的偶极子。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个纳米结构在所述第一电极层中包括通孔,其被同心环光栅结构围绕。
12.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个纳米结构包含选自由以下组成的群组的至少一种:金属、半导体和介电质。
13.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个纳米结构以选自由以下组成的群组的阵列排列安置:周期阵列、准周期阵列和非周期阵列,以形成由个别纳米结构之间的电磁耦合产生的电磁模。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述周期阵列选自由以下组成的群组:正方网格、六方网格、三角网格和一维光栅。
15.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个纳米结构中的每一个的尺寸为5nm至400nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





