[发明专利]可重构的电容触控阵列及其重构方法

权利要求书

1.一种可重构的电容触控阵列，其特征在于在每一个触控传感单元中串接若干个阻抗可变的器件，从而实现可重构的电容触控阵列；阻抗可变的器件与触控传感单元的等效电容串接；阻抗可变的器件串接在触控传感单元的Tx[i]的线路上；

可重构的电容触控阵列包括触控基板、Rx电极层和Tx电极层，Rx电极层由氧化铟锡构成且附着于触控基板的一面，触控基板的另一面附着有Tx电极层，Tx电极层包括铂层、氧化锆层和钛层；铂层与触控基板直接接触且形成互联结构；钛层附着在氧化锆层上，并形成互联结构；氧化锆层位于铂层和钛层之间。

2.根据权利要求1所述的可重构的电容触控阵列，其特征在于所述的Tx电极层中，铂层的厚度为200nm；氧化锆层的厚度为40nm；钛层的厚度为200nm。

3.根据权利要求2所述的可重构的电容触控阵列，其特征在于所述的Tx电极层中，采用三次磁控溅射工艺形成铂层、氧化锆层和钛层，然后再通过一次光刻及刻蚀工艺形成设定的Tx电极层图案。

4.根据权利要求3所述的可重构的电容触控阵列，其特征在于对于每一个Tx电极层的子电极图案Tx[i]，均包括独立的铂层、氧化锆层和钛层。

5.根据权利要求4所述的可重构的电容触控阵列，其特征在于对于每一个Tx电极层的子电极图案Tx[i]，均包括独立的氧化锆层和钛层，且所有的Tx电极层的子电极图案Tx[i]共用一个铂层，铂层与Rx电极层对应，且在相同的位置以相同的方向进行延展。

6.一种权利要求1~5之一所述的可重构的电容触控阵列的重构方法，包括如下步骤：

编程态的步骤：

保持Ty[1]~ Ty[n]电极低电平电压，Rx电极均为悬浮态：Tx[i]电极从0电平逐步上升值高电平电压V_SET，或者从0电平逐步下降至低电平电压V_RST；

当Tx[i]电极从0电平逐步上升至高电平电压V_SET时，RRAM的正、负电极之间形成导电细丝；因此，RRAM进入高导通带，RRAM的等效电阻值降低；

当Tx[i]电极从0电平逐步下降至低电平电压V_RST时，由于导电细丝断开，RRAM进入低导通态，RRAM的等效电阻值增加；

触控读出态的步骤：

保持Ty电极均为悬浮态，Tx[n]电极逐行输出驱动信号，从而在Rx[n]电极上感应相应像素上的电容值大小；

空闲态的步骤：

保持所有的Tx电极和Rx电极均为悬浮态。