[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法有效
| 申请号: | 202010168803.3 | 申请日: | 2020-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN111341792B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
| 发明(设计)人: | 李柱辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 制作方法 | ||
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法。显示面板包括阵列基板以及发光元件。阵列基板包括从下至上依次层叠设置的衬底层、驱动电路层以及覆盖层;覆盖层为灰色吸光材料,用于吸收对环境光及驱动电路层的反射光。显示面板的制作方法包括步骤:制作阵列基板以及设置发光元件。本发明通过在阵列基板上制作一层覆盖层,覆盖层不仅可以吸收环境光及发光元件发出的光,无需增加偏光片就可以大大改善显示面板出现串色、混色、对比度差等问题,使得显示面板的黑态更黑,从而提高了对比度。同时覆盖层的制作工艺简单,减少了制作成本,极大地提高了产品的竞争力。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术
近年来,显示行业得到了快速的发展,尤其是我国的显示行业,发生了天翻地覆的变化。通过技术、人才、先进设备的引进、以及核心技术的创新,我国已成为世界显示器制造大国,显示器水平达到世界领先水平。不仅结束了我国少屏的窘境,还引领显示界的潮流。
显示行业的竞争变得越来越激烈,更新周期不断缩短,以液晶显示器(LCD)与有机发光二极管(OLED)的竞争尤为激烈。随着OLED工艺、材料的成熟以及良率的提升,LCD渐渐失去了在小尺寸的市场优势,特别是在手机市场,OLED已渐渐取代LCD的地位。近年来也兴起了很多新型的显示技术,例如QLED显示、E-ink、柔性LCD、PE显示、mini-LED、micro-LED等等。这些新技术因还存在成本、寿命、可靠性等一些问题,还不具备量产性。micro-LED因具有色域广、对比度高、响应速度快、分辨率高、寿命长等优点,被很多企业大力推广,同时被视为下一代最具有潜力的新型显示技术。
发光元件micro-LED目前仍然存在很多缺陷,例如亮度不均匀、可靠性、转移良率低、TFT均匀性差、串色、混色、对比度差等问题。micro-LED出现串色、混色、对比度差等问题,这是因为micro-led芯片是多面发光体,而我们需要的只是micro-led芯片顶部发出的光,当相邻micro-led芯片都点亮的时候,侧面发出的光会互相干扰,从而出现串色、混色、对比度差等问题;对比度差也与micro-led面板金属对环境光发生反射有关。因此可以从控制micro-led芯片出光方向以及降低面板金属反射率两个方面着手,解决micro-led出现串色、混色、对比度差等问题。目前常见改善micro-led串色、混色、对比度差等问题的方法有:第一种方式为采用发光效率较高的micro-led芯片可提高对比度,该方法的缺点是功耗大、均匀性差;第二种方式为在micro-led芯片之间加黑色矩阵(BM)进行遮光,减少串色、混色、对比度差等问题,该方法的缺点是黑色矩阵制程难度大、黑色矩阵容易残留在铜电极上;第三种方式为对micro-led芯片进行侧面封装处理,遮挡侧面的光,从而减少串色、混色、对比度差等问题,该方法的缺点是micro-led芯片亮度降低、功耗大大提高;第四种方式为加贴偏光片提高对比度,缺点是增加成本。
因此,确有必要来开发一种新型的阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法,通过在阵列基板上制作一层覆盖层,所述覆盖层不仅可以吸收环境光及发光元件发出的光,无需增加偏光片就可以大大改善显示面板出现串色、混色、对比度差等问题,使得显示面板的黑态更黑,从而提高了对比度。同时所述覆盖层的制作工艺简单,减少了制作成本。
为了实现上述目的,本发明其中一实施例中提供一种阵列基板,包括从下至上依次层叠设置的衬底层、驱动电路层以及覆盖层;所述覆盖层为灰色吸光材料,用于吸收对环境光及所述驱动电路层的反射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





