[发明专利]一种封装芯片金线检测方法

权利要求书

1.一种封装芯片金线检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、采集标准芯片图，选取标准芯片图上标志点，计算所述标志点的坐标(R1，C1)以及角度(Phi)；

S2、使用动态阈值提取算法提取标准芯片图的金线区域G_ROI，计算出标准芯片图的金线面积G_Area；

S3、采集测试图片，使用动态阈值提取算法提取测试图片的金线区域，计算出测试图片的金线面积G_Area1；

S4、若测试图片的金线面积G_Area1为0，则样品不合格，判别为未打线；若测试图片的金线面积G_Area1大于0，则进入下一步；

S5、通过标准芯片图上标志点定位出测试图的金线精确区域G_ROI2，并根据测试图的金线精确区域G_ROI2获得测试图上金线的像素点矩阵集合[Qx[i],Qy[i]]；

S6、根据测试图上金线的像素点矩阵集合[Qx[i],Qy[i]]提取测试图片上金线区域的缺陷特征，根据缺陷特征判断芯片的金线是否合格，包括：

提取测试图片上金线弯曲度特征，判断芯片上的金线弯曲度是否合格；

所述“提取测试图片上金线弯曲度特征，判断芯片上的金线弯曲度是否合格”，具体包括：

建立金线关于行和列数据集的离散函数f(r,c)，则对应的金线边缘梯度函数为

令得到边缘点集(r,c)；

按列排序得到金线左侧边缘点集(r_l,c_l)和右侧边缘点集(r_r,c_r)，利用公式计算得到金线中心散点坐标集合(r_m,c_m)；

代入最小二乘法公式求得a、b使得E的值最小，得到直线L：c_i＝ar_i+b；

将金线中心散点坐标集合(r_m,c_m)代入直线L，若点都在直线L上，则金线弯曲度合格；若有点不满足直线L，则判断金线弯曲。

2.如权利要求1所述的封装芯片金线检测方法，其特征在于，所述S6中“提取测试图片上金线弯曲度特征，判断芯片上的金线弯曲度是否合格”之前还包括：

判断测试图片上的金线偏移量是否合格；

判断测试图片上金线的个数是否合格；

判断测试图片上金线是否重复打线；

判断测试图片上金线是否有断线。

3.如权利要求2所述的封装芯片金线检测方法，其特征在于，所述“判断测试图片上的金线偏移量是否合格”，具体包括：

计算测试图上单个金线相对于标准芯片图上单个金线的位置偏移量ΔX；

将位置偏移量ΔX与预定偏移阈值相比较，若ΔX小于预定偏移阈值，则金线偏移量合格，若ΔX大于预定偏移阈值，则金线偏移量不合格。

4.如权利要求2所述的封装芯片金线检测方法，其特征在于，所述“判断测试图片上金线是否重复打线”，具体包括：

计算测试图上单根金线的线宽Lh；

设定偏差范围，判断线宽Lh是否在偏差范围内，若线宽Lh在偏差范围内，则金线未重复打线，若线宽不在偏差范围内，则金线重复打线。

5.如权利要求1所述的封装芯片金线检测方法，其特征在于，所述S5具体包括：

根据公式1和公式2计算出测试图片的金线精确区域G_ROI2，其中，tx、ty分别代表标志点的像素点坐标，R00代表cos(Phi)，R01代表-sin(Phi)，R10代表-R01，R11代表cos(Phi)，(R2，C2)为G_ROI2的每个像素点的像素值，[Px[i],Py[i]]为G_ROI2像素点像素值矩阵集合；

根据求得测试图片的金线优化区域的像素点矩阵集合[Qx[i],Qy[i]]。

6.如权利要求1所述的封装芯片金线检测方法，其特征在于，所述S5与S6之间还包括：对测试图的金线区域图进行预处理以增加金线区域的亮度和消除背景干扰。