[发明专利]用于接合至少两个接合构件的装置和方法在审
| 申请号: | 202010166757.3 | 申请日: | 2020-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN111696877A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
| 发明(设计)人: | S·哈特曼;R·斯派克尔斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
| 地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 接合 至少 两个 构件 装置 方法 | ||
1.一种用于接合两个接合构件(10,20)的装置,包括:
第一部分(41),所述第一部分(41)包括支撑表面(400);
第一承载元件(60),所述第一承载元件(60)被配置为承载至少一个箔片(50,51);
传输单元,所述传输单元被配置为布置所述第一承载元件(60)连同其上布置的至少一个箔片(50,51),使得所述至少一个箔片(50,51)在垂直方向(y)上布置于所述第一部分(41)的所述支撑表面(400)上方;以及
第二部分(42),所述第二部分(42)被配置为在接合堆叠体布置于所述支撑表面(400)上时向所述接合堆叠体施加压力,其中,
所述接合堆叠体包括布置于所述支撑表面(400)上的第一接合构件(10)、布置于所述第一接合构件(10)上的第二接合构件(20)、以及布置于所述第一接合构件(10)和所述第二接合构件(20)之间的导电连接层(30),并且
在通过所述第二部分(42)向所述接合堆叠体施加压力时,所述至少一个箔片(50,51)布置于所述第二部分(42)和所述接合堆叠体之间并且被按压到所述接合堆叠体上,并且所述接合堆叠体被按压到所述第一部分(41)上,从而压缩所述连接层(30)并且在所述第一接合构件(10)和所述第二接合构件(20)之间形成物质与物质的键合。
2.根据权利要求1所述的装置,其中在通过所述第一承载元件(60)承载的所述至少一个箔片(50,51)布置于所述支撑表面(400)上方时,并且在通过所述第二部分(42)向所述接合堆叠体施加压力之前,所述至少一个箔片(50,51)中的被布置成最接近所述接合堆叠体的第一箔片(51)布置于距所述接合堆叠体的最上表面第一距离(d1)处,其中d10。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一承载元件(60)包括具有凸起的框架,其中在通过所述第一承载元件(60)承载至少一个箔片(50,51)时,所述至少一个箔片(50,51)的边缘区域停放在所述框架的所述凸起上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的装置,其中所述第一部分(41)和所述第二部分(42)中的至少一个包括加热元件(43)。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置,还包括第二承载元件(44),所述第二承载元件(44)被配置为在将所述接合堆叠体布置在所述第一部分(41)的所述支撑表面(400)上之前承载所述接合堆叠体。
6.根据权利要求5所述的装置,其中在所述至少一个箔片(50,51)布置于所述第一部分(41)的所述支撑表面(400)上方时,所述第一承载元件(60)布置于所述第二承载元件(44)上。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的装置,其中在所述至少一个箔片(50,51)布置于所述第一部分(41)的所述支撑表面(400)上方时,所述第一承载元件(60)在所述垂直方向(y)上部分地布置于所述第一接合构件(10)的边缘区域上方。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述第一承载元件(60)包括紧固或保持模块,所述紧固或保持模块被配置为在所述至少一个箔片(50,51)布置于所述第一承载元件(60)上时保持所述至少一个箔片(50,51)就位。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的装置,其中所述至少一个箔片(50,51)包括以下各项中的至少一项:
补偿箔片(50),所述补偿箔片(50)被配置为将通过所述第二部分(42)施加的压力均匀分布在所述接合堆叠体之上;以及
保护箔片(51),所述保护箔片(51)被配置为防止污染物污染所述接合构件(10,20)。
10.根据权利要求9所述的装置,其中:
所述补偿箔片(50)包括硅树脂耐热橡胶状或橡胶材料,或者耐受至少高达150℃和250℃之间温度的弹性体;和/或
所述保护箔片(51)包括惰性聚合物或聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





