[发明专利]一种晶粒间粘合剂的去除方法有效
| 申请号： | 202010166325.2 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111446160B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 粘合剂 去除 方法 | ||
1.一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，去除方法包括以下步骤：
S1：正面切割
对晶圆(1)进行切割；
S2：一次固定
采用粘合剂(3)将晶圆(1)切割的正面键合在玻璃载板(2)上；
S3：减薄
对切割后的晶圆(1)背面进行减薄；
S4：中间工艺
背面黄光，离子注入 ,光阻去除，退火工艺；
S5：粘合剂(3)去除
采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒(4)之间的粘合剂(3)，通过侧蚀刻在晶粒(4)与玻璃载板(2)之间的粘合剂(3)上形成凹槽(6)；
S6：金属沉积工艺
通过溅镀、蒸镀、化镀或电镀对晶粒(4)的减薄面进行金属沉积工艺；
S7:二次固定
将减薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上设有UV型胶膜；
S8：脱离玻璃载板(2)
采用镭射或热分解的方式进行解键合，将晶圆(1)与玻璃载板(2)脱离，此时晶粒(4)粘合在UV膜框(5)上；
S9：溶剂清洗
清洗晶粒(4)上残留的粘合剂(3)。
2.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述切割的方法为金刚石切割、激光切割或等离子切割。
3.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述晶圆(1)切割时从晶圆(1)的正面进行切割，切割至(1.05X~1.3X)处 ,X为预计最后晶圆(1)减薄完成后的厚度。
4.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述减薄后相邻的晶粒之间完全分离。
5.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过UV键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。
6.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过加热键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起 ,温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。
7.根据权利要求1所述的一种晶粒间粘合剂的去除方法，其特征在于，所述一次减薄采用的方法为蚀刻或研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
