[发明专利]一种垂直型硅基氮化镓功率器件减薄方法在审
| 申请号： | 202010162049.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111223771A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 范捷;万立宏;王绍荣 | 申请（专利权）人： | 江苏丽隽功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214067 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 型硅基 氮化 功率 器件 方法 | ||
1.一种垂直型硅基氮化镓功率器件减薄方法，其特征在于，所述方法包括：
对完成正面结构制造的垂直型硅基氮化镓功率器件的正面结构进行保护；
利用具有第一研磨目数的研磨轮对所述垂直型硅基氮化镓功率器件的背面结构进行第一次研磨减薄，并使用硅腐蚀液进行第一次背面腐蚀；
利用具有第二研磨目数的研磨轮对所述背面结构进行第二次研磨减薄，并进行一次450℃-500℃、30秒-60秒的快速热退火；
利用具有第三研磨目数的研磨轮对所述背面结构进行第三次研磨减薄，并使用硅腐蚀液进行第二次背面腐蚀；
完成背面工艺制造，去除对所述正面结构的保护；
其中，所述第一研磨目数和所述第三研磨目数均小于所述第二研磨目数，所述第一次研磨减薄的厚度均大于第二次研磨减薄的厚度以及第三次研磨减薄的厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在快速热退火的过程中，升温速率大于40℃/s，降温速率大于20℃/s。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次研磨减薄的厚度为待减薄总厚度的40％-60％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次背面腐蚀的厚度为待减薄总厚度的5％-10％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次研磨减薄的厚度为待减薄总厚度的20％-30％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三次研磨减薄的厚度为待减薄总厚度的10％-30％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次背面腐蚀的厚度为待减薄总厚度的1％-5％。
8.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，所述第一研磨目数小于350。
9.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，所述第二研磨目数大于1500。
10.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，所述第三研磨目数大于300且小于600。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏丽隽功率半导体有限公司，未经江苏丽隽功率半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010162049.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种木材碳化处理方法及设备
- 下一篇：光学成像镜头
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
