[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

衬底，所述衬底具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；

第一类型半导体管芯，所述第一类型半导体管芯安置在所述衬底的所述第一侧上；

第一原料，所述第一原料附接到所述第一侧并包封所述第一类型半导体管芯；以及

第二原料，所述第二原料附接到所述第二侧，从而相对于所述第一原料中的所述第一类型半导体管芯产生应力。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述应力是预先形成的压缩应力。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一原料包括负热膨胀系数CTE，并且所述第二原料包括正CTE。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一类型半导体管芯包括平面面积大于或等于约4mm乘4mm的管芯。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括焊接掩模层，所述焊接掩模层位于所述衬底的所述第一侧与所述第一原料之间。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括显示器，所述显示器由所述第一原料包封。

7.一种半导体封装，其包括：

衬底，所述衬底具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；

第一类型半导体管芯，所述第一类型半导体管芯安置在所述衬底的所述第一侧上；

具有负热膨胀系数CTE的第一原料，所述第一原料附接到所述第一侧并包封所述第一类型半导体管芯；以及

具有正CTE的第二原料，所述第二原料附接到所述第二侧。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述第一原料包括金属氧化物层或具有金属氧化物填料的模制原料。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述衬底包括柔性印刷电路板。

10.根据权利要求7所述的半导体封装，其进一步包括焊接掩模层，所述焊接掩模层位于所述衬底的所述第一侧与所述第一原料之间。

11.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述第一类型半导体管芯包括厚度大于或等于约0.05mm的管芯。

12.根据权利要求7所述的半导体封装，其进一步包括第二类型半导体管芯，所述第二类型半导体管芯安置在所述第二侧上并由所述第二原料包封，其中所述第二类型半导体管芯包括厚度薄于约0.05mm的管芯。

13.根据权利要求7所述的半导体封装，其进一步包括：

第三原料，所述第三原料与所述第一原料堆叠，其中所述第三原料的CTE比所述第一原料的所述CTE更负；以及

第四原料，所述第四原料与所述第二原料堆叠，其中所述第四原料的CTE比所述第二原料的所述CTE更正。

14.一种用于制造半导体封装的方法，其包括：

提供衬底，所述衬底具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；

将第一类型半导体管芯安置在所述衬底的所述第一侧上；

形成第一原料，所述第一原料附接到所述第一侧并包封所述第一类型半导体管芯；

形成第二原料，所述第二原料附接到所述第二侧；以及

调节所述第一原料和所述第二原料的温度，使得所述第二原料相对于所述第一原料中的所述第一类型半导体管芯产生应力。

15.根据权利要求14所述的方法，其中调节所述第一原料和所述第二原料的温度包括将温度从超过150摄氏度降低到室温。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述第一原料和形成所述第二原料包括执行双侧模制操作。