[发明专利]超级结的制造方法及其超级结肖特基二极管

权利要求书

1.一种超级结的制造方法，其特征在于，包括：

通过外延生长工艺在宽禁带半导体衬底表面上形成外延层；

将第一掺杂离子沿所述宽禁带半导体的预设晶向注入所述外延层的至少一部分区域，形成第一导电类型区；

将第二掺杂离子沿所述宽禁带半导体的所述预设晶向注入所述第一导电类型区的至少一部分区域，形成第二导电类型区，其中，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型不同；

所述预设晶向为使得掺杂离子沿所述预设晶向注入会发生沟道效应的晶向。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述宽禁带半导体为碳化硅，所述宽禁带半导体的预设晶向为所述碳化硅的C轴方向。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述碳化硅包括4H-SiC或6H-SiC。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将第一掺杂离子沿所述宽禁带半导体的晶向注入所述外延层包括至少一部分区域，包括：

将所述第一掺杂离子分别以第一浓度、第一能量及第二浓度、第二能量沿所述宽禁带半导体的晶向注入所述外延层至少一部分区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一浓度为1E13至3E14原子数每平方厘米，所述第一能量为500kev至2000kev；第二浓度为1E12至5E13原子数每平方厘米，所述第二能量为50kev至300kev。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将第二掺杂离子沿所述宽禁带半导体的晶向注入所述第一导电类型区至少一部分区域，包括：

将所述第二掺杂离子分别以第三浓度、第三能量及第四浓度、第四能量沿所述宽禁带半导体的晶向注入所述外延层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三浓度为5E13至3E14原子数每平方厘米，所述第三能量为500kev至2000kev；第四浓度为5E12至5E13原子数每平方厘米，所述第四能量为50kev至300kev。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂离子包括氮离子或磷离子。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掺杂离子包括铝离子或硼离子。

10.一种超级结肖特基二极管，其特征在于，包括：

通过外延生长工艺在宽禁带半导体衬底表面上形成的外延层；

第一导电类型区，通过第一掺杂离子沿所述宽禁带半导体的预设晶向注入所述外延层的至少一部分区域形成；

第二导电类型区，通过第二掺杂离子沿所述宽禁带半导体的所述预设晶向注入所述第一导电类型区的至少一部分区域形成；

金属层，设置在所述第一导电类型区远离所述衬底的至少部分表面上，以使得所述金属层与所述第一导电类型区形成肖特基结；

所述预设晶向为使得掺杂离子沿所述预设晶向注入会发生沟道效应的晶向。

11.根据权利要求10所述的超级结肖特基二极管，其特征在于，还包括第二导电类型注入区，通过第二掺杂离子沿所述宽禁带半导体的法线方向注入所述第二导电类型区部分区域形成。

12.根据权利要求10所述的超级结肖特基二极管，其特征在于，所述宽禁带半导体为碳化硅。

13.根据权利要求12所述的超级结肖特基二极管，其特征在于，所述碳化硅包括4H-SiC或6H-SiC。

14.根据权利要求10或12所述的超级结肖特基二极管，其特征在于，所述第一离子包括氮离子或磷离子，所述氮离子或磷离子分别以第一浓度、第一能量及第二浓度、第二能量沿所述碳化硅半导体的C轴方向注入所述外延层的至少一部分区域。