[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括相邻的第一区和第二区，且所述第一区和所述第二区邻接；

在所述待刻蚀层上形成第一掩膜层；

在所述第一区的所述第一掩膜层上形成图形化的核心层；

在所述核心层顶部和侧壁表面、以及所述第一掩膜层表面形成侧墙材料层；

在所述第二区的所述第一掩膜层表面的所述侧墙材料层上形成第一牺牲层；

在所述侧墙材料层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层露出所述核心层顶部表面的所述侧墙材料层、以及所述第一牺牲层顶部；

去除所述第一牺牲层、所述第二区的所述第一掩膜层表面的所述侧墙材料层以及所述核心层顶部表面的所述侧墙材料层；

去除所述核心层；

刻蚀所述第一区的所述第一掩膜层，形成第一槽；

刻蚀所述第二区的所述第一掩膜层，形成第二槽。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一牺牲层的步骤包括：

在所述侧墙材料层表面形成第一牺牲材料层；

在所述第一牺牲材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述第二区的所述第一牺牲材料层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一牺牲材料层，在所述第二区的所述第一掩膜层表面的所述侧墙材料层上形成第一牺牲层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二牺牲层的步骤包括：

在所述侧墙材料层表面以及所述第一牺牲层表面形成第二牺牲材料层；

回刻蚀所述第二牺牲材料层，至露出所述核心层顶部表面的所述侧墙材料层、以及所述第一牺牲层顶部，形成第二牺牲层。

4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括旋涂碳或旋涂玻璃或旋涂有机物或旋涂金属氧化物。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层的方法至少包括干法刻蚀和湿法刻蚀的其中一种。

6.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括旋涂碳或旋涂玻璃或旋涂有机物或旋涂金属氧化物。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述第二牺牲材料层的方法至少包括干法刻蚀和湿法刻蚀的其中一种。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化钛、氮化钛、氮化铝或氧化铝。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一槽和所述第二槽后，还包括：去除所述第二牺牲层以及所述核心层侧壁表面的所述侧墙材料层。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述第一槽底部的所述待刻蚀层，在所述第一区的所述待刻蚀层中形成第一目标槽；刻蚀所述第二槽底部的所述待刻蚀层，在所述第二区的所述待刻蚀层中形成第二目标槽。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一目标槽中形成第一导电层；在所述第二目标槽中形成第二导电层。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述核心层的材料包括无定形硅、多晶硅、氮化硅、氧化硅、无定形碳或含氮氧化硅的其中一种或多种组合。

13.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氧化硅、氮化钛、碳化钨、碳化硅、氮碳化硅、碳氧化硅、氧化铝或氮化铝的其中一种或多种组合。