[发明专利]一种基于磁悬浮的巨量转移装置、系统及其方法在审
| 申请号: | 202010144883.9 | 申请日: | 2020-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN113363192A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 魏其源;王英琪;袁山富;曹江;颜家煌 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L33/00;H01L25/16 |
| 代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 磁悬浮 巨量 转移 装置 系统 及其 方法 | ||
本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种基于磁悬浮的巨量转移装置、系统以及方法,其系统包括:光源以及相对设置的上基板和下基板,所述上基板和下基板的相对面上均设有电磁体,所述电磁体均通过导线与电源相连接;所述上基板和下基板之间设有可容置转移基板和/或目标基板的转移空间;所述光源所发出的光入射至所述转移空间中的目标基板的放置位上;本发明的巨量转移系统使得LED芯片在转移的过程中,不需要与多个器件进行接触,其有效地降低了LED芯片损坏的风险,极大地降低了LED芯片的损耗率,从而降低了显示面板的生产成本。
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种基于磁悬浮的巨量转移装置、一种基于磁悬浮的巨量转移系统以及应用该系统的巨量转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro LED),即发光二极管微缩化和矩阵化技术,其具有良好的稳定性,寿命,以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,其具有极大的应用前景。
由Micro LED制作成显示屏是显示设备未来的主流发展方向;如附图1所示,现有的Micro LED显示面板上包括了若干像素区域SPR,每个像素区域SPR包括红色LED、蓝色LED、绿色LED芯片。而在显示器的制作过程中,其需要将红绿蓝三色LED芯片从各自的生长基板转移到显示面板上。
在现有的LED芯片的转移过程中,该LED芯片会与多个器件进行多次接触,而在每一次接触过程中,其均会存在因接触压力过大而导致LED芯片损坏的风险,故在现有的巨量转移方法中的LED芯片损耗率较高,从而也导致显示面板的生产成本较高。
发明内容
为克服上述缺陷,本发明的目的即在于提供一种非接触式的基于磁悬浮技术的巨量转移装置以及应用该系统的巨量转移方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明是一种基于磁悬浮的巨量转移系统,包括:
光源以及相对设置的上基板和下基板,所述上基板和下基板的相对面上均设有电磁体,所述电磁体均通过导线与电源相连接;所述上基板和下基板之间设有可容置转移基板和/或目标基板的转移空间;所述光源所发出的光入射至所述转移空间中的目标基板的放置位上。
在本发明中,所述上基板中设有供所述光源所发出的光进入所述转移空间中的透光窗。
在本发明中,所述上基板与所述下基板上的所述电磁体数量相一致,且一一相对准。
在本发明中,所述上基板与所述下基板之间相互对准的电磁体的极性相反。
本发明是一种基于磁悬浮的巨量转移系统,其包括:如上所述的巨量转移装置,以及转移基板和目标基板;所述转移基板和目标基板放置于所述巨量转移装置的转移空间中,所述转移基板上设有一个以上的LED芯片,每个所述LED芯片上均通过光刻胶粘贴有永磁体;所述永磁体的两极以上下分布的形式设置。
在本发明中,粘贴于相邻的所述LED芯片上的永磁体,其磁极相互倒置。
在本发明中,所述永磁体粘贴于所述LED芯片的侧面上。
在本发明中,所述永磁体粘贴于所述LED芯片的顶部。
本发明是一种应用如上所述巨量转移系统的巨量转移方法,其包括:
提供一种转移基板,所述转移基板中放置有LED芯片,且所述LED芯片上通过光刻胶粘贴有永磁体;并将所述转移基板送入巨量转移装置的转移空间中;
通过控制所述转移空间中的磁场,使所述永磁体在磁场的作用下带动LED芯片离开转移基板,并悬浮于所述转移空间中;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





