[发明专利]一种电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法

权利要求书

1.一种电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1）：准备基料，所述基料按质量百分比含5%~15%的高岭土和85%~95%的氧化铝；准备辅料，所述辅料由氧化镁和氧化钼组成，其中氧化镁用量为所述基料质量的0.5%~1.5%，氧化钼用量为所述基料质量的5%~10%；

步骤2）：将步骤1）准备的基料和辅料球磨混合，得到混合料；

步骤3）：将所述混合料采用喷雾法造粒，然后陈腐，得到坯料；

步骤4）：将所述坯料压制成陶瓷基片坯体；

步骤5）：将所述陶瓷基片坯体干燥后，烧成，冷却后得到莫来石-刚玉复合陶瓷基片；

步骤5）中，所述烧成的烧成制度为：升温速率为5℃/min；当温度小于1000℃时，在100℃保温30 min，之后每隔100℃保温30 min；当温度大于等于1000℃且小于最高烧成温度1520℃~1540℃时，在1000℃保温60 min，之后每隔100℃保温60 min；升温达到最高烧成温度1520℃~1540℃后，保温2h~3h，之后随炉冷却。

2.根据权利要求1所述的电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述高岭土为煤系高岭土，过250目筛。

3.根据权利要求2所述的电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤1）中，按质量百分比，所述高岭土的成分为49.13%的SiO_2、35.55%的Al₂O_3、0.12%的Fe₂O_3、0.4%的TiO_2、0.04%的CaO和14.76%的烧失量。

4.根据权利要求1所述的电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤2）中，球磨混合时长为0.5h~1.5h。

5.根据权利要求1所述的电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤3）中，喷雾法造粒过程中，水的加入量为混合料质量的6%~10%，得到的颗粒粒径为0.5mm~1.5mm。

6.根据权利要求1所述的电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤4）中，所述坯料压制过程为，先在12MPa~14MPa压力下预压成型，预压时长为30s~60s；再在170MPa~180MPa压强下等静压成型，保压时长为60s~90s。

7.根据权利要求1所述的电子封装用莫来石-刚玉复合陶瓷基片的制备方法，其特征在于，步骤5）中，干燥温度为95℃~100℃，干燥时长为24h。